Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SIHF9Z14L-E3

SIHF9Z14L-E3

更新时间： 2024-01-19 13:26:14

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
8页	2454K
描述
Power MOSFET

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SIHF9Z14L-E3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-262AA
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.11
Is Samacsys：	N	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	140 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	6.7 A
最大漏极电流 (ID)：	6.7 A	最大漏源导通电阻：	0.5 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-262AA
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	43 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	27 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SIHF9Z14L-E3 数据手册

IRF9Z14S, SiHF9Z14S, IRF9Z14L, SiHF9Z14L

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

• Advanced Process Technology

- 60

• Surface Mount (IRF9Z14S/SiHF9Z14S)

Available

R_DS(on)(Ω)

V_GS= - 10 V

0.50

•

Low-ProfileThrough-Hole (IRF9Z14L/SiHF9Z14L)

RoHS*

COMPLIANT

Q_g(Max.) (nC)

3.8

• 175 °C Operating Temperature

• Fast Switching

_gs(nC)

_gd(nC)

5.1

• P-Channel

• Fully Avalanche Rated

• Lead (Pb)-free Available

Configuration

Single

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay utilize

advanced processing techniques to achieve extremely low

on-resistance per silicon area. This benefit, combined with

the fast switching speed and ruggedized device design that

Power MOSFETs are well known for, provides the designer

with an extremely efficient and reliable device for use in a

wide variety of applications.

D²PAK (TO-263)

I²PAK (TO-262)

The D²PAK is a surface mount power package capable of

accommodating die size up to HEX-4. It provides the highest

power capability and the lowest possible on-resistance in

any existing surface mount package. The D²PAK is suitable

for high current applications because of is low internal

connection resistance and can dissipate up to 2.0 W in a

typical surface mount application.

P-Channel MOSFET

The through-hole version (IRF9Z14L/SiHF9Z14L) is

available for low-profile applications.

ORDERING INFORMATION

Package

D²PAK (TO-263)

IRF9Z14SPbF

SiHF9Z14S-E3

IRF9Z14S

D²PAK (TO-263)

IRF9Z14STRLPbF^a

SiHF9Z14STL-E3^a

IRF9Z14STRL^a

I²PAK (TO-262)

IRF9Z14LPbF

Lead (Pb)-free

SiHF9Z14L-E3

SnPb

SiHF9Z14S

SiHF9Z14STL^a

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

- 60

_C= 25 °C

- 6.7

- 4.7

- 27

0.29

140

- 6.7

4.3

Continuous Drain Current^e

V_GSat - 10 V

I_D

T_C=100°C

Pulsed Drain Current^{a, e}

Linear Derating Factor

Single Pulse Avalanche Energy^{b, e}

Avalanche Current^a

I_DM

W/°C

E_AS

I_AR

Repetiitive Avalanche Energy^a

E_AR

_C= 25 °C

3.7

Maximum Power Dissipation

P_D

T_A= 25 °C

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91089

S-Pending-Rev. A, 02-Jun-08

www.vishay.com

WORK-IN-PROGRESS

12 3 4 5 6 7 8

下载PDF

与SIHF9Z14L-E3相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
SIHF9Z14S	VISHAY	Power MOSFET	获取价格
SIHF9Z14S-E3	VISHAY	Power MOSFET	获取价格
SIHF9Z14STL	VISHAY	Power MOSFET	获取价格
SIHF9Z14STL-E3	VISHAY	Power MOSFET	获取价格
SIHF9Z22	VISHAY	Power MOSFET	获取价格
SIHF9Z22-E3	VISHAY	Power MOSFET	获取价格

与SIHF9Z14L-E3相关文章

AT24C256芯片手册参数分析、引脚说明、读写程序示例
2024-05-28

2
LAN8720A的替代型号推荐、资料手册数据分析、特点介绍
2024-05-28

6
SS8550数据手册：应用场景、主要参数分析、特性分析
2024-05-28

6
UC3845全面解析：资料手册参数、引脚详解、维修技巧与替代型号推荐
2024-05-28

6

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SIHF9Z14L-E3

SIHF9Z14L-E3 技术参数

SIHF9Z14L-E3 数据手册

与SIHF9Z14L-E3相关器件

与SIHF9Z14L-E3相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SIHF9Z14L-E3

SIHF9Z14L-E3 技术参数

SIHF9Z14L-E3 数据手册

与SIHF9Z14L-E3相关器件

与SIHF9Z14L-E3相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？