Datasheet > SI4483EDY

SI4483EDY

更新时间： 2022-12-09 04:38:36

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		/
页数	文件大小	规格书
5页	61K
描述
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

阅读下载

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SI4483EDY 数据手册

Si4483EDY

Vishay Siliconix

TYPICAL CHARACTERISTICS (25_C UNLESS NOTED)

Threshold Voltage

Single Pulse Power

0.8

0.6

= 250 mA

0.4

0.2

0.0

−0.2

−0.4

−50 −25

100 125 150

0.01

0.1

100

600

− Temperature (_C)

Time (sec)

Safe Operating Area, Junction-to-Case

100

*Limited by r

DS(on)

1 ms

10 ms

100 ms

1 s

0.1

10 s

= 25_C

Single Pulse

0.01

0.1

100

− Drain-to-Source Voltage (V)

*V u minimum V at which r is specified

DS(on)

Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient

Duty Cycle = 0.5

0.2

0.1

Notes:

0.1

0.05

0.02

1. Duty Cycle, D =

2. Per Unit Base = R

= 70_C/W

thJA

(t)

3. T − T = P Z

DM thJA

Single Pulse

4. Surface Mounted

0.01

−4

−3

−2

−1

100

600

Square Wave Pulse Duration (sec)

Document Number: 72862

S-42139—Rev. B, 15-Nov-04

www.vishay.com

1 2 345

下载PDF

与SI4483EDY相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
SI4483EDY_RC	VISHAY	R-C Thermal Model Parameters	获取价格
SI4483EDY-T1-E3	VISHAY	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET	获取价格
SI4484EY	VISHAY	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET	获取价格
SI4484EY_06	VISHAY	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET	获取价格
SI4484EY-T1	VISHAY	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET	获取价格
SI4484EY-T1-GE3	VISHAY	Small Signal Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET	获取价格