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| 生命周期： | Active | 包装说明： | R-XBCC-N3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.76 |
| 其他特性： | LOW POWER LOSS | 应用： | EFFICIENCY |
| 外壳连接： | CATHODE | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 0.76 V | JESD-30 代码： | R-XBCC-N3 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 100 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 最大输出电流： | 10 A | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | CHIP CARRIER |
| 最大重复峰值反向电压： | 100 V | 最大反向电流： | 200 µA |
| 表面贴装： | YES | 技术： | SCHOTTKY |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | BOTTOM |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SHD2 | CIT |
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CIT SWITCH |
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| SHD208503 | SENSITRON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 27.4A I(D), 200V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| SHD208505 | SENSITRON |
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Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 0.415ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| SHD2086F | SENSITRON |
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Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 800V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| SHD2088F | SENSITRON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 1000V, 1.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| SHD2092S | SENSITRON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.092ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| SHD217302A | SENSITRON |
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HERMETIC POWER MOSFET N-CHANNEL |
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| SHD217302A_09 | SENSITRON |
获取价格 |
HERMETIC POWER MOSFET N-CHANNEL |
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| SHD2181 | SENSITRON |
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POWER MOSFETS |
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| SHD21810 | SENSITRON |
获取价格 |
POWER MOSFETS |
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