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SGB07N120

更新时间： 2024-11-09 22:06:47

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英飞凌 - INFINEON		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
11页	387K
描述
Fast IGBT in NPT-technology

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SGB07N120 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.8	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	16.5 A	集电极-发射极最大电压：	1200 V
配置：	SINGLE	最大降落时间（tf）：	61 ns
门极发射器阈值电压最大值：	5 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JEDEC-95代码：	TO-263AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	125 W
认证状态：	Not Qualified	最大上升时间（tr）：	24 ns
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	520 ns
标称接通时间 (ton)：	56 ns	Base Number Matches：	1

SGB07N120 数据手册

SGP07N120

SGB07N120

Fast IGBT in NPT-technology

• 40lower E_offcompared to previous generation

• Short circuit withstand time – 10 µs

• Designed for:

- Motor controls

- Inverter

- SMPS

• NPT-Technology offers:

- very tight parameter distribution

- high ruggedness, temperature stable behaviour

- parallel switching capability

P-TO-220-3-1

(TO-220AB)

P-TO-263-3-2 (D²-PAK)

(TO-263AB)

• Complete product spectrum and PSpice Models : http://www.infineon.com/igbt/

Type

V_CE

I_C

E_off

T_j

Package

Ordering Code

Q67040-S4272

SGP07N120

SGB07N120

1200V

0.7mJ

TO-220AB

150°C

TO-263AB(D2PAK) Q67040-S4273

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector-emitter voltage

DC collector current

T_C= 25°C

V_CE

I_C

1200

16.5

7.9

T_C= 100°C

Pulsed collector current, t_plimited by T_jmax

I_{Cpul s}

Turn off safe operating area

V_CE≤ 1200V, T_j≤ 150°C

Gate-emitter voltage

V_{G E}

E_AS

±20

Avalanche energy, single pulse

I_C= 8A, V_CC= 50V, R_GE= 25Ω, start at T_j= 25°C

Short circuit withstand time¹⁾

V_GE= 15V, 100V ≤ V_CC≤ 1200V, T_j≤ 150°C

Power dissipation

t_SC

µs

P_{t ot}

125

T_C= 25°C

Operating junction and storage temperature

T_j, T_stg

-55...+150

260

°C

Soldering temperature, 1.6mm (0.063 in.) from case for 10s

¹⁾Allowed number of short circuits: <1000; time between short circuits: >1s.

Jul-02

Power Semiconductors

12 3 4 5 6 7...11

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SGB07N120 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IGB15N60T	INFINEON	类似代替	Low Loss IGBT in Trench and Fieldstop technology
IRG4PC50UDPBF	INFINEON	功能相似	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IGW60T120	INFINEON	功能相似	Low Loss IGBT in Trench and Fieldstop technology

与SGB07N120相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SGB07N120_07	INFINEON	获取价格	Fast IGBT in NPT-technology lower Eoff compared to previous generation
SGB07N120ATMA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 16.5A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, GREEN,
SG-B1	PANASONIC	获取价格	New SG-E1, SG-C1, SG-B2/D1, SG-B1/A1 Series Safety Switches
SGB1.5UFJ450A8	MERITEK	获取价格	PTC Thermistor, Chassis Mount
SGB1.5UFK450A8	MERITEK	获取价格	PTC Thermistor, Chassis Mount
SGB10N60	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 21A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB
SGB10N60A	INFINEON	获取价格	Fast IGBT in NPT-technology
SGB10N60A_07	INFINEON	获取价格	Fast IGBT in NPT-technology 75% lower Eoff compared to previous generation
SGB10N60AXT	INFINEON	获取价格	暂无描述
SGB10UF	SSDI	获取价格	60 mA 1000 - 3500 VOLTS 60 nsec HIGH VOLTAGE RECTIFIER

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