生命周期: | Active | 包装说明: | E-LELF-R2 |
针数: | 2 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.70 |
风险等级: | 5.69 | 其他特性: | METALLURGICALLY BONDED |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF): | 9 V | JESD-30 代码: | E-LELF-R2 |
最大非重复峰值正向电流: | 5 A | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 175 °C |
最大输出电流: | 0.06 A | 封装主体材料: | GLASS |
封装形状: | ELLIPTICAL | 封装形式: | LONG FORM |
认证状态: | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压: | 1000 V |
最大反向恢复时间: | 0.06 µs | 子类别: | Rectifier Diodes |
表面贴装: | YES | 端子形式: | WRAP AROUND |
端子位置: | END | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SGB10UFSMS_1 | SSDI |
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60 mAMP 1000-3500 VOLTS 60 nsec HIGH VOLTAGE RECTIFIER | |
SGB10UFSMSS | SSDI |
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60 mAMP 1000-3500 VOLTS 60 nsec HIGH VOLTAGE RECTIFIER | |
SGB10UFSMSTX | SSDI |
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60 mAMP 1000-3500 VOLTS 60 nsec HIGH VOLTAGE RECTIFIER | |
SGB10UFSMSTXV | SSDI |
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60 mAMP 1000-3500 VOLTS 60 nsec HIGH VOLTAGE RECTIFIER | |
SGB10UFTX | SSDI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.06A, Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2 | |
SGB10UFTXV | SSDI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.06A, Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2 | |
SGB15N120 | INFINEON |
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Fast IGBT in NPT-technology | |
SGB15N120_07 | INFINEON |
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Fast IGBT in NPT-technology | |
SGB15N120AT | INFINEON |
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暂无描述 | |
SGB15N60 | INFINEON |
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Fast IGBT in NPT-technology |