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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | CHIP CARRIER, S-CQCC-N20 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.79 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.6 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V | 配置： | 7 BANKS, DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 900 | JESD-30 代码： | S-CQCC-N20 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 7 |
| 端子数量： | 20 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | CHIP CARRIER |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| VCEsat-Max： | 1.9 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SG2013 | MICROSEMI |
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HIGH VOLTAGE MEDIUM CURRENT DRIVER ARRAYS |
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| SG2013 | MICROCHIP |
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The SG2000 series integrates seven NPN Darlington pairs with internal suppression diodes t |
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| SG2013J | MICROSEMI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 50V V(BR)CEO, 7-Element, NPN, Silicon, HERMETI |
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| SG2013J/883B | MICROSEMI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 50V V(BR)CEO, 7-Element, NPN, Silicon, HERMETI |
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| SG2013J/DESC | MICROSEMI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 50V V(BR)CEO, 7-Element, NPN, Silicon, |
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| SG2013L | MICROSEMI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 50V V(BR)CEO, 7-Element, NPN, Silicon, HERMETI |
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| SG2014 | MICROSEMI |
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HIGH VOLTAGE MEDIUM CURRENT DRIVER ARRAYS |
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| SG2014J/883B | MICROSEMI |
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暂无描述 |
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| SG2014J/DESC | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 50V V(BR)CEO, 7-Element, NPN, Silicon, |
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| SG2014L | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 50V V(BR)CEO, 7-Element, NPN, Silicon, HERMETI |
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