Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> SG2014J/DESC

SG2014J/DESC

更新时间： 2024-12-01 13:00:39

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		驱动器高压
页数	文件大小	规格书
7页	102K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 50V V(BR)CEO, 7-Element, NPN, Silicon,

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SG2014J/DESC 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	IN-LINE, R-CDIP-T16
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.82	Is Samacsys：	N
其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE	最大集电极电流 (IC)：	0.6 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	7 BANKS, DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
JESD-30 代码：	R-CDIP-T16	JESD-609代码：	e0
元件数量：	7	端子数量：	16
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SG2014J/DESC 数据手册

SG2000 SERIES

HIGH VOLTAGE MEDIUM

CURRENT DRIVER ARRAYS

DESCRIPTION

FEATURES

The SG2000 series integrates seven NPN Darlington pairs with

internal suppression diodes to drive lamps, relays, and solenoids in

many military, aerospace, and industrial applications that require

severe environments. All units feature open collector outputs with

greater than 50V breakdown voltages combined with 500mA

current carrying capabilities. Five different input configurations

provide optimized designs for interfacing with DTL, TTL, PMOS, or

CMOS drive signals. These devices are designed to operate from

-55°C to 125°C ambient temperature in a 16 pin dual in line ceramic

(J) package and 20 pin Leadless Chip Carrier (LCC). The plastic

dual in–line (N) is designed to operate over the commercial

temperature range of 0°C to 70°C.

• Seven npn Darlington pairs

• -55°C to 125°C ambient operating temperature range

• Collector currents to 600mA

• Output voltages from 50V to 95V

• Internal clamping diodes for inductive loads

• DTL, TTL, PMOS, or CMOS compatible inputs

• Hermetic ceramic package

HIGH RELIABILITY FEATURES

♦ Available to MIL-STD-883 and DESC SMD

♦ MIL-M38510/14101BEA - JAN2001J

♦ MIL-M38510/14102BEA - JAN2002J

♦ MIL-M38510/14103BEA - JAN2003J

♦ MIL-M38510/14104BEA - JAN2004J

♦ Radiation data available

♦ LMI level "S" processing available

PARTIAL SCHEMATICS

4/90 Rev 1.3 6/97

LINFINITY Microelectronics Inc.

11861 Western Avenue ∞ Garden Grove, CA 92841

(714) 898-8121 ∞ FAX: (714) 893-2570

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SG2014L	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 50V V(BR)CEO, 7-Element, NPN, Silicon, HERMETI
SG2014L/883B	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 50V V(BR)CEO, 7-Element, NPN, Silicon, HERMETI
SG2015	MICROSEMI	获取价格	HIGH VOLTAGE MEDIUM CURRENT DRIVER ARRAYS
SG2015J	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 50V V(BR)CEO, 7-Element, NPN, Silicon, HERMETI
SG2015J/883B	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 50V V(BR)CEO, 7-Element, NPN, Silicon, HERMETI
SG2015J/DESC	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 50V V(BR)CEO, 7-Element, NPN, Silicon,
SG2015L	MICROSEMI	获取价格	暂无描述
SG2015L/883B	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 50V V(BR)CEO, 7-Element, NPN, Silicon, HERMETI
SG201AN	Linear	获取价格	Operational Amplifier
SG201AT	Linear	获取价格	Operational Amplifier,

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