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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> SG2015J/DESC
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SG2015J/DESC

更新时间： 2024-12-01 13:13:27
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 驱动器高压
页数 文件大小 规格书
7页 102K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 50V V(BR)CEO, 7-Element, NPN, Silicon,

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SG2015J/DESC 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete包装说明：IN-LINE, R-CDIP-T16
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.82其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
最大集电极电流 (IC)：0.6 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：7 BANKS, DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTORJESD-30 代码：R-CDIP-T16
JESD-609代码：e0元件数量：7
端子数量：16封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：TIN LEAD端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SG2015J/DESC 数据手册

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SG2000 SERIES  
HIGH VOLTAGE MEDIUM  
CURRENT DRIVER ARRAYS  
DESCRIPTION  
FEATURES  
The SG2000 series integrates seven NPN Darlington pairs with  
internal suppression diodes to drive lamps, relays, and solenoids in  
many military, aerospace, and industrial applications that require  
severe environments. All units feature open collector outputs with  
greater than 50V breakdown voltages combined with 500mA  
current carrying capabilities. Five different input configurations  
provide optimized designs for interfacing with DTL, TTL, PMOS, or  
CMOS drive signals. These devices are designed to operate from  
-55°C to 125°C ambient temperature in a 16 pin dual in line ceramic  
(J) package and 20 pin Leadless Chip Carrier (LCC). The plastic  
dual in–line (N) is designed to operate over the commercial  
temperature range of 0°C to 70°C.  
• Seven npn Darlington pairs  
• -55°C to 125°C ambient operating temperature range  
• Collector currents to 600mA  
• Output voltages from 50V to 95V  
• Internal clamping diodes for inductive loads  
• DTL, TTL, PMOS, or CMOS compatible inputs  
• Hermetic ceramic package  
HIGH RELIABILITY FEATURES  
♦ Available to MIL-STD-883 and DESC SMD  
♦ MIL-M38510/14101BEA - JAN2001J  
♦ MIL-M38510/14102BEA - JAN2002J  
♦ MIL-M38510/14103BEA - JAN2003J  
♦ MIL-M38510/14104BEA - JAN2004J  
♦ Radiation data available  
♦ LMI level "S" processing available  
PARTIAL SCHEMATICS  
4/90 Rev 1.3 6/97  
LINFINITY Microelectronics Inc.  
Copyright 1997  
11861 Western Avenue ∞ Garden Grove, CA 92841  
1
(714) 898-8121 ∞ FAX: (714) 893-2570  
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SG2015L MICROSEMI

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 		暂无描述
SG2015L/883B MICROSEMI

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 50V V(BR)CEO, 7-Element, NPN, Silicon, HERMETI
SG201AN Linear

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 		Operational Amplifier
SG201AT Linear

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 		Operational Amplifier,
SG2021 MICROSEMI

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 		HIGH VOLTAGE MEDIUM CURRENT DRIVER ARRAYS
SG2021J MICROSEMI

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 95V V(BR)CEO, 7-Element, NPN, Silicon, HERMETI
SG2021J/DESC MICROSEMI

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 95V V(BR)CEO, 7-Element, NPN, Silicon,
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