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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | IN-LINE, R-CDIP-T16 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.91 | 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.6 A | 集电极-发射极最大电压： | 50 V |
| 配置： | 7 BANKS, DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR | JESD-30 代码： | R-CDIP-T16 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 7 |
| 端子数量： | 16 | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SG2013L | MICROSEMI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 50V V(BR)CEO, 7-Element, NPN, Silicon, HERMETI |
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| SG2014 | MICROSEMI |
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HIGH VOLTAGE MEDIUM CURRENT DRIVER ARRAYS |
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| SG2014J/883B | MICROSEMI |
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暂无描述 |
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| SG2014J/DESC | MICROSEMI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 50V V(BR)CEO, 7-Element, NPN, Silicon, |
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| SG2014L | MICROSEMI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 50V V(BR)CEO, 7-Element, NPN, Silicon, HERMETI |
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| SG2014L/883B | MICROSEMI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 50V V(BR)CEO, 7-Element, NPN, Silicon, HERMETI |
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| SG2015 | MICROSEMI |
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HIGH VOLTAGE MEDIUM CURRENT DRIVER ARRAYS |
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| SG2015J | MICROSEMI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 50V V(BR)CEO, 7-Element, NPN, Silicon, HERMETI |
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| SG2015J/883B | MICROSEMI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 50V V(BR)CEO, 7-Element, NPN, Silicon, HERMETI |
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| SG2015J/DESC | MICROSEMI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 50V V(BR)CEO, 7-Element, NPN, Silicon, |
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