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| 生命周期： | Active | 包装说明： | FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.76 |
| 最小漏源击穿电压： | 200 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 11 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 11 A | 最大漏源导通电阻： | 0.5 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-254AA |
| JESD-30 代码： | S-XSFM-P3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SFF9244 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Advanced Power MOSFET |
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| SFF9250L | FAIRCHILD |
获取价格 |
Advanced Power MOSFET |
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| SFFC40-28 | SSDI |
获取价格 |
4.2 AMP 600 VOLTS 1.2ohm N-Channel Power MOSFET |
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| SFFC50 | SSDI |
获取价格 |
11 AMP 600 VOLTS 0.6ohm N-Channel Power MOSFET |
|
| SFFC50M | SSDI |
获取价格 |
11 AMP 600 VOLTS 0.6ohm N-Channel Power MOSFET |
|
| SFFC50Z | SSDI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 600V, 0.65ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| SFFD150M | SSDI |
获取价格 |
RADIATION HARDENED N-CHANNEL MOSFET |
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| SFFD160P | SSDI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 100V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| SFFD250 | SSDI |
获取价格 |
27 AMP 200 VOLTS 0.100 RADIATION HARDENED N-CHANNEL MOSFET |
|
| SFFD250M | SSDI |
获取价格 |
RADIATION HARDENED N-CHANNEL MOSFET |
|
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