5秒后页面跳转
SFFR9160N PDF预览

SFFR9160N

更新时间: 2024-02-20 13:31:18
品牌 Logo 应用领域
SSDI /
页数 文件大小 规格书
2页 242K
描述
RADIATION HARDENED P-CHANNEL MOSFET

SFFR9160N 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:TO-258
包装说明:FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.72外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:100 V
最大漏极电流 (ID):40 A最大漏源导通电阻:0.085 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-258AA
JESD-30 代码:R-MSFM-P3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:METAL封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:P-CHANNEL
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:PIN/PEG端子位置:SINGLE
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

SFFR9160N 数据手册

 浏览型号SFFR9160N的Datasheet PDF文件第2页 

与SFFR9160N相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SFFX054M SSDI

获取价格

35 AMP 60 VOLTS 0.022ohm N-Channel Power MOSFET
SFFX054Z SSDI

获取价格

35 AMP 60 VOLTS 0.022ohm N-Channel Power MOSFET
SFG-03 FH

获取价格

片状银粉
SFG-08C FH

获取价格

片状银粉
SFG08E200 SECOS

获取价格

0.8 Amp Super Fast Recovery Rectifier
SFG08E200F SECOS

获取价格

Voltage 200V ~ 600V 8.0 Amp Super Fast Recovery Rectifier
SFG08E400 SECOS

获取价格

0.8 Amp Super Fast Recovery Rectifier
SFG08E600 SECOS

获取价格

0.8 Amp Super Fast Recovery Rectifier
SFG08S1200 SECOS

获取价格

Voltage 1200V 8.0 Amp Super Fast Rectifier
SFG10ED100 SECOS

获取价格

10 Amp Super Fast Rectifier