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SFFD160P

更新时间: 2023-12-18 00:00:00
品牌 Logo 应用领域
SSDI 局域网晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 226K
描述
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 100V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-259,

SFFD160P 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-XSFM-P3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95风险等级:5.76
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:100 V最大漏极电流 (Abs) (ID):50 A
最大漏极电流 (ID):50 A最大漏源导通电阻:0.04 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-259
JESD-30 代码:R-XSFM-P3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):300 W
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO端子形式:PIN/PEG
端子位置:SINGLE晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

SFFD160P 数据手册

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