5秒后页面跳转
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | LCC |
| 包装说明： | CHIP CARRIER, S-CQCC-N28 | 针数： | 28 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.76 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 600 V | 最大漏极电流 (ID)： | 4.2 A |
| 最大漏源导通电阻： | 1.2 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | S-CQCC-N28 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 28 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | CHIP CARRIER | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | QUAD |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SFFC50 | SSDI |
获取价格 |
11 AMP 600 VOLTS 0.6ohm N-Channel Power MOSFET |
|
| SFFC50M | SSDI |
获取价格 |
11 AMP 600 VOLTS 0.6ohm N-Channel Power MOSFET |
|
| SFFC50Z | SSDI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 600V, 0.65ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| SFFD150M | SSDI |
获取价格 |
RADIATION HARDENED N-CHANNEL MOSFET |
|
| SFFD160P | SSDI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 100V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| SFFD250 | SSDI |
获取价格 |
27 AMP 200 VOLTS 0.100 RADIATION HARDENED N-CHANNEL MOSFET |
|
| SFFD250M | SSDI |
获取价格 |
RADIATION HARDENED N-CHANNEL MOSFET |
|
| SFFD450M | SSDI |
获取价格 |
-10 AMP -500 VOLTS 0.60 ohm RADIATION HARDENED N-Channel Power MOSFET |
|
| SFFD9160P | SSDI |
获取价格 |
RADIATION HARDENED P-CHANNEL MOSFET |
|
| sffi2 | ETC |
获取价格 |
COMPONEX mINI-mETERS - STOCK RANGE |
|
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
