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| 生命周期： | Active | 包装说明： | CHIP CARRIER, R-CBCC-N3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.71 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 920 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 600 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 11 A | 最大漏源导通电阻： | 0.65 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-CBCC-N3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | CHIP CARRIER |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SFFC50M | SSDI |
获取价格 |
11 AMP 600 VOLTS 0.6ohm N-Channel Power MOSFET |
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| SFFC50Z | SSDI |
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Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 600V, 0.65ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| SFFD150M | SSDI |
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RADIATION HARDENED N-CHANNEL MOSFET |
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| SFFD160P | SSDI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 100V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| SFFD250 | SSDI |
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27 AMP 200 VOLTS 0.100 RADIATION HARDENED N-CHANNEL MOSFET |
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| SFFD250M | SSDI |
获取价格 |
RADIATION HARDENED N-CHANNEL MOSFET |
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| SFFD450M | SSDI |
获取价格 |
-10 AMP -500 VOLTS 0.60 ohm RADIATION HARDENED N-Channel Power MOSFET |
|
| SFFD9160P | SSDI |
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RADIATION HARDENED P-CHANNEL MOSFET |
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| sffi2 | ETC |
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COMPONEX mINI-mETERS - STOCK RANGE |
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| SF-FP-LAB1 | BOURNS |
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SINGLFUSE FAST-ACTING PRECISION |
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