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SFFC50Z

更新时间: 2024-02-23 19:44:01
品牌 Logo 应用领域
SSDI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关
页数 文件大小 规格书
2页 196K
描述
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 600V, 0.65ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, TO-254Z, 3 PIN

SFFC50Z 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:TO-254Z
包装说明:FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3针数:3
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.71
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:600 V
最大漏极电流 (ID):11 A最大漏源导通电阻:0.65 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:S-MSFM-P3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE封装主体材料:METAL
封装形状:SQUARE封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:PIN/PEG
端子位置:SINGLE晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

SFFC50Z 数据手册

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