Datasheet > SCT4036KR

SCT4036KR

更新时间： 2024-09-10 11:11:07

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		开关栅驱动驱动器
页数	文件大小	规格书
17页	1459K
描述
SCT4036KR是一款有助于应用产品实现小型化和更低功耗的SiC MOSFET。该产品采用带有驱动器源极引脚的封装形式，可更大程度地激发出SiC MOSFET的高速开关性能。ROHM的第4代SiC MOSFETSCT4系列是改善了短路耐受时间并实现了业界超低导通电阻的第4代产品。与以往产品相比，该系列产品的导通电阻降低了约40%，开关损耗降低了约50%。另外，还支持更容易处理的15V栅-源电压，使应用产品的设计更容易。

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SCT4036KR 数据手册

SCT4036KR

N-channel SiC power MOSFET

Datasheet

lOutline

TO-247-4L

V_DSS

1200V

36mΩ

43A

R_DS(on)(Typ.)

I_D

(1)

(2)

(3)

(4)

P_D

176W

lInner circuit

● Features

(1)

1) Low on-resistance

2) Fast switching speed

3) Fast reverse recovery

4) Easy to parallel

(1) Drain

(2) Power Source

(3) Driver Source

(4) Gate

(4)

(3)

*1 Body Diode

(2)

5) Simple to drive

Please note Driver Source and Power Source are

not exchangeable. Their exchange might lead to

malfunction.

6) Pb-free lead plating ; RoHS compliant

lPackaging specifications

● Application

Tube

Packing

・Solar inverters

Reel size (mm)

Tape width (mm)

Basic ordering unit (pcs)

Taping code

・DC/DC converters

・Switch mode power supplies

・Induction heating

・Motor drives

Type

C15

Marking

SCT4036KR

lAbsolute maximum ratings (T_vj= 25°C unless otherwise specified.)

Parameter

Symbol

V_DSS

Value

1200

Unit

Drain - source voltage

T_c= 25°C

Continuous drain

and source current

V_GS= V_{GS_on}

I_D, I_S

T_c= 100°C

V_GS= V_{GS_on}T_c= 25°C

Pulsed drain current

I_D,pulse

*1,*3

Body diode pulsed forward current

Body diode surge forward current

Gate - source voltage (DC)

I_S,pulse

T_c= 25°C

V_GS= 0 V

*1,*4

I_S,pulse

V_{GSS_DC}

-4 to +21

-4 to +23

Gate - source surge voltage (t_surge< 300ns)

Recommended turn-on gate - source drive voltage

Recommended turn-off gate - source drive voltage

Virtual junction temperature

V_{GSS_surge}

+15 to +18

V_{GS_on}

V_{GS_off}

T_vj

175

°C

T_stg

Range of storage temperature

-40 to +175

www.rohm.com

TSZ22111・14・001

TSQ50214-SCT4036KR

4.Apr.2023 - Rev.003

1/15

12 3 4 5 6 7...17

中文翻译

下载PDF

与SCT4036KR相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SCT4036KRHR	ROHM	获取价格	SCT4036KRHR是一款1200V、43A的Nch SiC功率MOSFET。该产品采用
SCT4036KW7	ROHM	获取价格	SCT4036KW7 is an SiC (Silicon Carbide) trench MOSFET. Features include high voltage resist
SCT4036KW7 (新产品)	ROHM	获取价格	SCT4036KW7是一款1200V、40A的Nch SiC功率MOSFET。该产品采用沟
SCT4045DE	ROHM	获取价格	SCT4045DE是一款有助于应用产品实现小型化和更低功耗的SiC MOSFET。ROHM
SCT4045DEHR	ROHM	获取价格	SCT4045DEHR是一款750V、34A的Nch SiC功率MOSFET。该产品采用沟
SCT4045DR	ROHM	获取价格	SCT4045DR是有助于应用产品实现小型化和更低功耗的SiC MOSFET。该产品采用带
SCT4045DRHR	ROHM	获取价格	SCT4045DRHR是一款750V、34A的Nch SiC功率MOSFET。该产品采用沟
SCT4045DW7	ROHM	获取价格	SCT4045DW7 is an SiC (Silicon Carbide) trench MOSFET. Features include high voltage resist
SCT4045DW7 (新产品)	ROHM	获取价格	SCT4045DW7是一款750V、31A的Nch SiC功率MOSFET。该产品采用沟槽
SCT4045DW7HR	ROHM	获取价格	SCT4045DW7HR是一款750V、31A的Nch SiC功率MOSFET。该产品采用

与SCT4036KR相关文章

SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
2024-09-03

62
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
2024-09-03

51
Pickering新高压舌簧继电器亮相汽车测试博览会
2024-08-26

84
采用MCU+MPU双处理器架构实现的创新应用设计探索
2024-08-23

94

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SCT4036KR

SCT4036KR 数据手册

与SCT4036KR相关器件

与SCT4036KR相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SCT4036KR

SCT4036KR 数据手册

与SCT4036KR相关器件

与SCT4036KR相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？