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SCT4062KEHR

更新时间： 2023-09-03 20:39:56

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		开关栅
页数	文件大小	规格书
17页	1381K
描述
SCT4062KEHR是一款1200V、26A的Nch SiC功率MOSFET。该产品采用沟槽结构实现了更低的导通电阻，是符合AEC-Q101标准的高可靠性车规级产品。ROHM的第4代SiC MOSFETSCT4系列是改善了短路耐受时间并实现了业界超低导通电阻的第4代产品。与以往产品相比，该系列产品的导通电阻降低了约40%，开关损耗降低了约50%。另外，该产品还支持更容易处理的15V栅-源电压，使应用产品的设计更容易。

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SCT4062KEHR 数据手册

SCT4062KEHR

Automotive Grade N-channel SiC power MOSFET

Datasheet

lOutline

TO-247N

V_DSS

1200V

62mΩ

26A

R_DS(on)(Typ.)

I_D

(3)

(1)

P_D

115W

lInner circuit

● Features

(2)

1) Qualified to AEC-Q101

2) Low on-resistance

3) Fast switching speed

4) Fast reverse recovery

5) Easy to parallel

(1) Gate

(2) Drain

(3) Source

(1)

*1 Body Diode

(3)

Please note Driver Source and Power Source are

not exchangeable. Their exchange might lead to

malfunction.

6) Simple to drive

7) Pb-free lead plating ; RoHS compliant

lPackaging specifications

● Application

・Automobile

Tube

Packing

Reel size (mm)

Tape width (mm)

Basic ordering unit (pcs)

Taping code

・Switch mode power supplies

Type

C11

Marking

SCT4062KE

lAbsolute maximum ratings (T_vj= 25°C unless otherwise specified.)

Parameter

Symbol

V_DSS

Value

1200

Unit

Drain - source voltage

T_c= 25°C

Continuous drain

and source current

V_GS= V_{GS_on}

I_D, I_S

T_c= 100°C

V_GS= V_{GS_on}T_c= 25°C

Pulsed drain current

I_D,pulse

*1,*3

Body diode pulsed forward current

Body diode surge forward current

Gate - source voltage (DC)

I_S,pulse

T_c= 25°C

V_GS= 0 V

*1,*4

I_S,pulse

V_{GSS_DC}

-4 to +21

-4 to +23

Gate - source surge voltage (t_surge< 300ns)

Recommended turn-on gate - source drive voltage

Recommended turn-off gate - source drive voltage

Virtual junction temperature

V_{GSS_surge}

+15 to +18

V_{GS_on}

V_{GS_off}

T_vj

175

°C

T_stg

Range of storage temperature

-40 to +175

www.rohm.com

TSZ22111・14・001

TSQ50211-SCT4062KEHR

4.Apr.2023 - Rev.002

1/15

12 3 4 5 6 7...17

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