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SCH1335-TL-H

更新时间： 2024-11-25 21:10:19

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安森美 - ONSEMI		/
页数	文件大小	规格书
7页	385K
描述
P-Channel Power MOSFET, -12V, -2.5A, 112mΩ, Single SCH6, SOT-563 / SCH6, 5000-REEL

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SCH1335-TL-H 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
针数：	6	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	1 week
风险等级：	5.33	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2.5 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：	e6	湿度敏感等级：	1
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	0.8 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Bismuth (Sn/Bi)
Base Number Matches：	1

SCH1335-TL-H 数据手册

Ordering number : ENA1939A

SCH1335

P-Channel Power MOSFET

http://onsemi.com

–

12V, 2.5A, 112m , Single SCH6

Features

•

1.8V drive

•

Halogen free compliance

Speciﬁcations

at Ta=25°C

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Drain-to-Source Voltage

Gate-to-Source Voltage

Drain Current (DC)

Symbol

Conditions

Ratings

--12

Unit

DSS

±10

GSS

--2.5

Drain Current (Pulse)

PW 10 s, duty cycle 1%

When mounted on ceramic substrate (900mm²0.8mm)

--10

≤

Allowable Power Dissipation

Channel Temperature

Storage Temperature

0.8

°C

Tch

150

Tstg

--55 to +150

This product is designed to “ESD immunity < 200V ”, so please take care when handling.

Machine Model

Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended Operating

Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect device reliability.

Product & Package Information

Package Dimensions

unit : mm (typ)

• Package

: SCH6

7028-002

• JEITA, JEDEC

: SOT-563

• Minimum Packing Quantity : 5,000 pcs./reel

SCH1335-TL-H

1.6

0.2

Packing Type : TL

Marking

0.2

0.5

1 : Drain

2 : Drain

3 : Gate

4 : Source

5 : Drain

6 : Drain

Electrical Connection

1, 2, 5, 6

SCH6

Semiconductor Components Industries, LLC, 2013

July, 2013

62712 TKIM/33011PE TKIM TC-00002321 No. A1939-1/7

12 3 4 5 6 7

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