SB1100.TR

更新时间： 2024-09-27 13:13:11

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		二极管
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3页	44K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, DO-41

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SB1100.TR 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.47	其他特性：	FREE WHEELING DIODE
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：	DO-41	JESD-30 代码：	O-PALF-W2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-65 °C
最大输出电流：	1 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
最大功率耗散：	1.25 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	100 V	表面贴装：	NO
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	Base Number Matches：	1

SB1100.TR 数据手册

SB120 - SB1100

Features

• 1.0 ampere operation at T_A= 75°C

with no thermal runaway.

• For use in low voltage, high frequency

inverters free wheeling, and polarity

protection applications.

DO-41

COLOR BAND DENOTES CATHODE

Schottky Rectifiers

Absolute Maximum Ratings*

T_A= 25°C unless otherwise noted

Value

Symbol

Parameter

Units

120 130 140 150 160 180 1100

V_RRM

I_F(AV)

Maximum Repetitive Reverse Voltage

100

Average Rectified Forward Current

.375 " lead length @ T_A= 75°C

Non-repetitive Peak Forward Surge Current

8.3 ms Single Half-Sine-Wave

1.0

I_FSM

Storage Temperature Range

-65 to +125

°C

T_stg

T_J

Operating Junction Temperature

*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.

Thermal Characteristics

Symbol

Parameter

Value

Units

P_D

Power Dissipation

Thermal Resistance, Junction to Ambient

1.25

R_θJA

C/W

Electrical Characteristics

T_A= 25°C unless otherwise noted

Device

Symbol

Parameter

Units

120 130 140 150 160 180 1100

500 700 850

0.5

V_F

I_R

Forward Voltage @ 1.0 A

Reverse Current @ rated V_R

T_A= 25°C

T_A= 100°C

I_rr

Maximum Full Load Reverse Current, Full Cycle

T_A= 75°C

Total Capacitance

110

C_T

V_R= 4.0 V, f = 1.0 MHz

2001 Fairchild Semiconductor Corporation

SB120-SB1100, Rev. C

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