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SB1100T-G PDF预览

SB1100T-G

更新时间： 2024-11-21 13:13:11
品牌 Logo 应用领域
上华 - COMCHIP /
页数 文件大小 规格书
3页 59K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 100V V(RRM),

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SB1100T-G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.76
其他特性：FREE WHEELING DIODE外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.85 V
JEDEC-95代码：DO-41JESD-30 代码：O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流：30 A元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：100 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

SB1100T-G 数据手册

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Leaded Schottky Barrier Rectifiers  
Comchip  
S M D D i o d e S p e c i a l i s t  
SB120-G Thru. SB1100-G  
Voltage: 20 to 100 V  
Current: 1.0 A  
RoHS Device  
DO-41  
Features  
-Low drop down voltage.  
-Metal-Semiconductor junction with guard ring  
-High surge current capability  
1.0(25.4) Min.  
.107(2.7)  
.080(2.0)  
-Silicon epitaxial planar chips.  
-For use in low voltage, high efficiency inverters,  
free wheeling, and polarity protection applications  
.205(5.2)  
.160(4.1)  
-Lead-free part, meet RoHS requirements.  
Mechanical data  
1.0(25.4) Min.  
-Epoxy: UL94-V0 rated flame retardant  
-Case: Molded plastic body DO-41  
-Terminals: Solderable per MIL-STD-750 Method 2026  
-Polarity: Color band denotes cathode end  
-Mounting Position: Any  
.034(0.86)  
.028(0.70)  
Dimensions in inches and (millimeter)  
-Weight: 0.34grams  
Electrical Characteristics (at TA=25°C unless otherwise noted)  
Ratings at Ta=25°C unless otherwise noted.  
SB  
SB  
SB  
SB  
SB  
SB  
SB  
Symbol  
Parameter  
Unit  
140-G  
120-G  
145-G  
150-G  
160-G  
180-G 1100-G  
Maximum recurrent peak reverse voltage  
Maximum RMS voltage  
VRRM  
VRMS  
VDC  
20  
14  
20  
40  
28  
40  
45  
30  
45  
50  
35  
50  
60  
42  
60  
80  
56  
80  
100  
70  
V
V
V
Maximum DC blocking voltage  
100  
Maximum average forward rectified current  
0.375” (9.5mm) lead length at TA=75°C, See Figure 1  
I(AV)  
A
1.0  
30  
Peak forward surge current  
8.3ms single half sine-wave superimposed on rated load  
(JEDEC method) TL=110°C  
IFSM  
VF  
IR  
A
V
Maximum forward voltage at 1.0A  
0.50  
0.70  
0.85  
30  
0.5  
Maximum DC reverse current  
At rated DC blocking voltage  
T
A
=25°C  
mA  
T
A
=100°C  
10  
5
Typical junction capacitance (Note 1)  
Typical thermal resistance (Note 2)  
pF  
CJ  
110  
80  
RθJA  
RθJL  
50.0  
30.0  
°C/W  
Operating junction temperature range  
Storage temperature range  
TJ  
-55 to +125  
-55 to +150  
°C  
°C  
TSTG  
-55 to +150  
NOTES:  
1. Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0 Volts.  
2. Thermal resistance junction to ambient and junction to lead.  
REV:A  
Page 1  
QW-BB040  
Comchip Technology CO., LTD.  
123

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与SB1100T-G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SB1100TR FAIRCHILD

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, DO-41, DO-41, 2 PIN
SB11-04HP SANYO

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 		40V, 1.1A Rectifier
SB1105100M1 ABC

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 		SMD POWER INDUCTOR
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