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SB1100B-G

更新时间： 2024-09-25 01:24:39

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上华 - COMCHIP		二极管
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描述
Leaded Schottky Barrier Rectifiers

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SB1100B-G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	O-PALF-W2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.76	其他特性：	FREE WHEELING DIODE
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.85 V	JEDEC-95代码：	DO-41
JESD-30 代码：	O-PALF-W2	最大非重复峰值正向电流：	30 A
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	1 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	最大重复峰值反向电压：	100 V
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

SB1100B-G 数据手册

Leaded Schottky Barrier Rectifiers

Comchip

S M D D i o d e S p e c i a l i s t

SB120-G Thru. SB1100-G

Voltage: 20 to 100 V

Current: 1.0 A

RoHS Device

DO-41

Features

-Low drop down voltage.

-Metal-Semiconductor junction with guard ring

-High surge current capability

1.0(25.4) Min.

.107(2.7)

.080(2.0)

-Silicon epitaxial planar chips.

-For use in low voltage, high efficiency inverters,

free wheeling, and polarity protection applications

.205(5.2)

.160(4.1)

-Lead-free part, meet RoHS requirements.

Mechanical data

1.0(25.4) Min.

-Epoxy: UL94-V0 rated flame retardant

-Case: Molded plastic body DO-41

-Terminals: Solderable per MIL-STD-750 Method 2026

-Polarity: Color band denotes cathode end

-Mounting Position: Any

.034(0.86)

.028(0.70)

Dimensions in inches and (millimeter)

-Weight: 0.34grams

Electrical Characteristics (at TA=25°C unless otherwise noted)

Ratings at Ta=25°C unless otherwise noted.

Symbol

Parameter

Unit

140-G

120-G

145-G

150-G

160-G

180-G 1100-G

Maximum recurrent peak reverse voltage

Maximum RMS voltage

VRRM

VRMS

VDC

100

Maximum DC blocking voltage

100

Maximum average forward rectified current

0.375” (9.5mm) lead length at TA=75°C, See Figure 1

I(AV)

1.0

Peak forward surge current

8.3ms single half sine-wave superimposed on rated load

(JEDEC method) TL=110°C

IFSM

Maximum forward voltage at 1.0A

0.50

0.70

0.85

0.5

Maximum DC reverse current

At rated DC blocking voltage

=25°C

=100°C

Typical junction capacitance (Note 1)

Typical thermal resistance (Note 2)

110

RθJA

RθJL

50.0

30.0

°C/W

Operating junction temperature range

Storage temperature range

-55 to +125

-55 to +150

°C

TSTG

-55 to +150

NOTES:

1. Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0 Volts.

2. Thermal resistance junction to ambient and junction to lead.

REV:A

Page 1

QW-BB040

Comchip Technology CO., LTD.

12 3

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与SB1100B-G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SB1100E	SIRECT	获取价格	Power Schottky Rectifier - 1Amp 40~100Volt
SB1100-E	LRC	获取价格	Schottky Barrier Rectifiers Reverse Voltage 20 to 100V Forward Current 1.0A
SB1100E-G	COMCHIP	获取价格	Low VF/ESD Leaded Schottky Barrier Rectifiers
SB1100H	SIRECT	获取价格	Power Schottky Rectifier - 1Amp 40~100Volt
SB1100H	PANJIT	获取价格	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
SB1100L	CZSTARSEA	获取价格	DO-41
SB1100-LF	WTE	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, DO-41, ROHS COMPLIANT, PLA
SB1100S	PANJIT	获取价格	1 AMPERE SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS(VOLTAGE - 20 to 100 Volts CURRENT - 1.0 Ampere)
SB1100S	TRSYS	获取价格	1 AMPERE SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
SB1100S	DIOTEC	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, DO-204AC, DO-41, 2 PIN

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