Datasheet > SB1100T50R

SB1100T50R

更新时间： 2024-02-13 05:53:11

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		二极管
页数	文件大小	规格书
3页	43K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, DO-41, D4, 2 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SB1100T50R 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DO-41
包装说明：	O-PALF-W2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.47
Is Samacsys：	N	其他特性：	FREE WHEELING DIODE
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：	DO-41	JESD-30 代码：	O-PALF-W2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-65 °C
最大输出电流：	1 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
最大功率耗散：	1.25 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	100 V	表面贴装：	NO
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	Base Number Matches：	1

SB1100T50R 数据手册

SB120 - SB1100

Features

• 1.0 ampere operation at T_A= 75°C

with no thermal runaway.

• For use in low voltage, high frequency

inverters free wheeling, and polarity

protection applications.

DO-41

COLOR BAND DENOTES CATHODE

Schottky Rectifiers

Absolute Maximum Ratings*

T_A= 25°C unless otherwise noted

Value

Symbol

Parameter

Units

120 130 140 150 160 180 1100

V_RRM

I_F(AV)

Maximum Repetitive Reverse Voltage

100

Average Rectified Forward Current

.375 " lead length @ T_A= 75°C

Non-repetitive Peak Forward Surge Current

8.3 ms Single Half-Sine-Wave

1.0

I_FSM

Storage Temperature Range

-65 to +125

°C

T_stg

T_J

Operating Junction Temperature

*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.

Thermal Characteristics

Symbol

Parameter

Value

Units

P_D

Power Dissipation

Thermal Resistance, Junction to Ambient

1.25

R_θJA

C/W

Electrical Characteristics

T_A= 25°C unless otherwise noted

Device

Symbol

Parameter

Units

120 130 140 150 160 180 1100

500 700 850

0.5

V_F

I_R

Forward Voltage @ 1.0 A

Reverse Current @ rated V_R

T_A= 25°C

T_A= 100°C

I_rr

Maximum Full Load Reverse Current, Full Cycle

T_A= 75°C

Total Capacitance

110

C_T

V_R= 4.0 V, f = 1.0 MHz

2001 Fairchild Semiconductor Corporation

SB120-SB1100, Rev. C

12 3

中文翻译

下载PDF

与SB1100T50R相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SB1100-TB	WTE	获取价格	1.0A SCHOTTKY BARRIER DIODE
SB1100T-G	COMCHIP	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 100V V(RRM),
SB1100TR	FAIRCHILD	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, DO-41, DO-41, 2 PIN
SB11-04HP	SANYO	获取价格	40V, 1.1A Rectifier
SB1105100M1	ABC	获取价格	SMD POWER INDUCTOR
SB1105101K1	ABC	获取价格	SMD POWER INDUCTOR
SB1105120M1	ABC	获取价格	SMD POWER INDUCTOR
SB1105150M1	ABC	获取价格	SMD POWER INDUCTOR
SB1105151K1	ABC	获取价格	SMD POWER INDUCTOR
SB1105201K1	ABC	获取价格	SMD POWER INDUCTOR