Datasheet > S9015D-BP

S9015D-BP

更新时间： 2024-11-18 20:46:59

品牌	Logo	应用领域
美微科 - MCC		晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	222K
描述
100mA, 45V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

S9015D-BP 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.27
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	45 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	400
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	150 MHz
Base Number Matches：	1

S9015D-BP 数据手册

S9015-B

S9015-C

S9015-D

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

Micro Commercial Components

Features

•

TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors

Capable of 0.45Watts(Tamb=25^OC) of Power Dissipation.

Collector-current -0.1A

PNP Silicon

Transistors

Collector-base Voltage -50V

Operating and storage junction temperature range: -55^OC to +150^OC

•

Marking: S9015

Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates

RoHS Compliant. See ordering information)

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

Moisure Sensitivity Level 1

TO-92

Electrical Characteristics @ 25^OC Unless Otherwise Specified

Symbol

Parameter

Min

Max

Units

OFF CHARACTERISTICS

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

Collector-Base Breakdown Voltage

-50

-45

-5.0

---

Vdc

(I = -100uAdc, I_E=0)

Collector-Emitter Breakdown Voltage

(I = -1.0mAdc, I_B=0)

Emitter-Base Breakdown Voltage

---

Vdc

(I = -100uAdc, I_C=0)

Collector Cutoff Current

-0.05

uAdc

(V_CB= -50Vdc, I =0)

I_EBO

Emitter Cutoff Current

---

(V_EB= -5.0Vdc, I_C=0)

ON CHARACTERISTICS

h_FE

DC Current Gain

---

1000

-0.3

-1.0

---

(I = -1.0mAdc, V_CE= -5.0Vdc)

V_CE(sat)

V_BE(sat)

Collector-Emitter Saturation Voltage

Vdc

(I = -100mAdc, I_B= -10mAdc)

Base-Emitter Saturation Voltage

(I = -100mAdc, I_B= -10mAdc)

SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS

STRAIGHT LEAD BENT LEAD

BULK PACK AMMO PACK

f_T

Transistor Frequency

150

---

MHz

(I =-10mAdc, V_CE=-5.0Vdc, f=30MHz)

DIMENSIONS

INCHES

DIM

MIN

MAX

.185

---

.020

.145

.105

.220

MIN

4.45

12.70

0.41

3.43

2.42

4.40

MAX

4.70

---

0.63

3.68

2.67

5.60

NOTE

CLASSIFICATION OF HFE

.175

.500

.016

.135

.095

.173

Rank

Range

100-300

200-600

400-1000

Straight Lead

Bent Lead

* For ammo packing detailed specification, click here to visit our website

of product packaging for details.

www.mccsemi.com

1 of 2

Revision: C

2012/10/15

中文翻译

下载PDF

与S9015D-BP相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
S9015-D-BP-HF	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor,
S9015L	CJ	获取价格	暂无描述
S9015L-G	WEITRON	获取价格	暂无描述
S9015LT1	WEITRON	获取价格	PNP General purpose Transistors
S9015LT1	CJ	获取价格	TRANSISTOR（ PNP ）
S9015LT1	HC	获取价格	SOT-23
S9015LT1H	CJ	获取价格	Transistor
S9015LT1H	WEITRON	获取价格	Transistor
S9015LT1H-TP	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC
S9015LT1L	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC

与S9015D-BP相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

17
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

12
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

42
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

36

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

S9015D-BP

S9015D-BP 技术参数

S9015D-BP 数据手册

与S9015D-BP相关器件

与S9015D-BP相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

S9015D-BP

S9015D-BP 技术参数

S9015D-BP 数据手册

与S9015D-BP相关器件

与S9015D-BP相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？