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S9015LT1-SOT-23

更新时间： 2024-11-18 08:55:39

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江苏长电/长晶 - CJ		晶体晶体管
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TRANSISTOR（ PNP ）

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S9015LT1-SOT-23 数据手册

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors

S9015LT1

TRANSISTOR（ PNP ）

SOT— 23

1. BASE

FEATURES

2. EMITTER

3. COLLECTOR

Power dissipation

P_CM

Collector current

I_CM

0.2

-0.1

W（Tamb=25℃）

2.4

1.3

Collector-base voltage

V_(BR)CBO: -50

Operating and storage junction temperature range

T_J，T_stg: -55℃ to +150

Unit : mm

ELECTRICAL CHARACTERISTICS（Tamb=25℃

unless otherwise specified）

Parameter

Symbol

Test

conditions

MIN

-50

-45

-5

TYP

MAX

UNIT

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

Ic= -100μA， I_E=0

Ic= -0.1mA， I_B=0

(BR)CBO

(BR)CEO

I_E=-100μA， I_C=0

V_CB=-50 V , I_E=0

(BR)EBO

I_CBO

I_EBO

-0.1

1000

-0.3

-1

μA

Emitter cut-off current

V_EB= -5V , I_C=0

DC current gain

H_FE(1)

V_CE=-5V, I_C= -1mA

I_C=-100 mA, I_B= -10mA

I_C=-100 mA, I_B=-10mA

200

150

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

V_CE(sat)

V_BE(sat)

V_CE=-5V, I = -10mA

Transition frequency

f_T

MHz

f=30MHz

CLASSIFICATION OF H

FE(1)

Rank

Range

200-450

450-1000

DEVICE MARKING : S9015LT1=M6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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S9015T	SECOS	获取价格	PNP Plastic Encapsulated Transistor
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