S9015LT1H

更新时间： 2024-11-18 13:13:11

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江苏长电/长晶 - CJ		晶体晶体管光电二极管
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2页	128K
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Transistor

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S9015LT1H 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.6
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	450	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
标称过渡频率 (fT)：	150 MHz	Base Number Matches：	1

S9015LT1H 数据手册

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors

S9015LT1

TRANSISTOR（ PNP ）

SOT— 23

1. BASE

FEATURES

2. EMITTER

3. COLLECTOR

Power dissipation

P_CM

Collector current

I_CM

0.2

-0.1

W（Tamb=25℃）

2.4

1.3

Collector-base voltage

V_(BR)CBO: -50

Operating and storage junction temperature range

T_J，T_stg: -55℃ to +150

Unit : mm

ELECTRICAL CHARACTERISTICS（Tamb=25℃

unless otherwise specified）

Parameter

Symbol

Test

conditions

MIN

-50

-45

-5

TYP

MAX

UNIT

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

Ic= -100μA， I_E=0

Ic= -0.1mA， I_B=0

(BR)CBO

(BR)CEO

I_E=-100μA， I_C=0

V_CB=-50 V , I_E=0

(BR)EBO

I_CBO

I_EBO

-0.1

1000

-0.3

-1

μA

Emitter cut-off current

V_EB= -5V , I_C=0

DC current gain

H_FE(1)

V_CE=-5V, I_C= -1mA

I_C=-100 mA, I_B= -10mA

I_C=-100 mA, I_B=-10mA

200

150

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

V_CE(sat)

V_BE(sat)

V_CE=-5V, I = -10mA

Transition frequency

f_T

MHz

f=30MHz

CLASSIFICATION OF H

FE(1)

Rank

Range

200-450

450-1000

DEVICE MARKING : S9015LT1=M6

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