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S8X8TS1RP PDF预览

S8X8TS1RP

更新时间： 2024-11-05 20:59:27
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 栅光电二极管栅极
页数 文件大小 规格书
12页 1465K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 0.8A I(T)RMS, 800mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, SOT-223, 4 PIN

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S8X8TS1RP 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4针数：4
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.56其他特性：HIGH RELIABILITY
外壳连接：ANODE配置：SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率：75 V/us最大直流栅极触发电流：0.005 mA
最大直流栅极触发电压：0.8 V最大维持电流：5 mA
JESD-30 代码：R-PDSO-G4JESD-609代码：e3
最大漏电流：0.5 mA通态非重复峰值电流：10 A
元件数量：1端子数量：4
最大通态电流：800 A最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：0.8 A断态重复峰值电压：800 V
重复峰值反向电压：800 V子类别：Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40触发设备类型：SCR
Base Number Matches：1

S8X8TS1RP 数据手册

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Thyristors  
EV Series 0.8 Amp Sensitive SCRs  
RoHS  
SxX8xSx EV Series  
Description  
This new component series offers high static dv/dt and  
low turn off time (tq) sensitive SCR with its small die  
planar construction design. It is specifically designed for  
GFCI (Ground Fault Circuit Interrupter) and Gas Ignition  
applications. All SCRs junctions are glass-passivated to  
ensure long term reliability and parametric stability.  
Features  
• RoHS compliant and  
Halogen-Free  
• High dv/dt noise immunity  
• Improved turn-off time (tq)  
< 25 μsec  
•Thru-hole and surface  
mount packages  
• Sensitive gate for direct  
microprocessor interface  
• Surge current  
Main Features  
capability > 10Amps  
Symbol  
Value  
Unit  
A
• Blocking voltage  
( VDRM / VRRM  
)
IT(RMS)  
0.8  
capability - up to 800V  
VDRM / VRRM  
IGT  
400, 600, or 800  
5 to 200  
V
μA  
Schematic Symbol  
A
Applications  
The SxX8xSx EV series is specifically designed for  
GFCI (Ground Fault Circuit Interrupter) and gas ignition  
applications.  
G
K
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
TO-92  
SOT-89  
SOT-223  
TO-92  
TC = 55°C  
0.8  
0.8  
A
A
IT(RMS)  
RMS on-state current (full sine wave)  
Average on-state current  
TC = 60°C  
TL = 60°C  
TC = 55°C  
TC = 60°C  
TL = 60°C  
F= 50Hz  
0.8  
A
0.51  
0.51  
0.51  
8
A
IT(AV)  
SOT-89  
SOT-223  
A
A
TO-92  
SOT-89  
SOT-223  
A
Non repetitive surge peak on-state current  
(Single cycle, TJ initial = 25°C)  
ITSM  
I2t  
F= 60Hz  
10  
A
tp = 10 ms  
tp = 8.3 ms  
F = 50 Hz  
F = 60 Hz  
0.32  
0.41  
A2s  
A2s  
I2t Value for fusing  
TO-92  
SOT-89  
SOT-223  
di/dt  
Critical rate of rise of on-state current IG = 10mA  
TJ = 125°C  
50  
A/µs  
IGM  
PG(AV)  
Tstg  
TJ  
Peak Gate Current  
tp = 10 μs  
TJ = 125°C  
1.0  
A
Average gate power dissipation  
Storage junction temperature range  
Operating junction temperature range  
—
—
—
TJ = 125°C  
0.1  
W
°C  
°C  
—
—
-40 to 150  
-40 to 125  
© 2018 Littelfuse, Inc.  
Specifications are subject to change without notice.  
Revised: 12/05/18  
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与S8X8TS1RP相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
S8X8TS2 LITTELFUSE

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 		EV Series 0.8A Sensitive SCR
S8X8TS2RP LITTELFUSE

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 		Silicon Controlled Rectifier, 0.8A I(T)RMS, 800mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Elemen
S8X8TSRP LITTELFUSE

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 		Teccor brand Thyristors EV Series 1.5 Amp Sensitive SCRs
S8xC-13 DIODES

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 		8.0A SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED RECTIFIER
S-9 COOPER

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S9000-ND TI

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 		ADSP-BF506F EZ-KIT Lite® Evaluation System Ma
S9003P2CT DIODES

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 40A, 45V V(RRM), Silicon, TO-220AB, PLASTIC
S9004P2CT DIODES

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 		30A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
S9005P2CT DIODES

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 		20A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

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