5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > S9012
S9012 PDF预览

S9012

更新时间： 2024-11-06 19:51:35
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 134K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, PLASTIC PACKAGE-3

阅读下载

中文翻译

获取价格

S9012 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-92包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.69
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.5 A
集电极-发射极最大电压：25 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：40JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-W3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：TIN LEAD
端子形式：WIRE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：150 MHzBase Number Matches：1

S9012 数据手册

  
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
S9012  
Micro Commercial Components  
Features  
·
·
·
·
·
·
TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors  
Capable of 0.625Watts(Tamb=25OC) of Power Dissipation.  
PNP Silicon  
Transistors  
Collector-current 0.5A  
Collector-base Voltage 40V  
Operating and storage junction temperature range: -55OC to +150OC  
Marking Code: S9012  
Pin Configuration  
TO-92  
A
E
C
B
E
Electrical Characteristics @ 25OC Unless Otherwise Specified  
B
C
Symbol  
Parameter  
Min  
Max  
Units  
OFF CHARACTERISTICS  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
Collector-Base Breakdown Voltage  
40  
25  
5.0  
---  
---  
---  
---  
---  
Vdc  
Vdc  
(I =100uAdc, IE=0)  
C
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(I =0.1mAdc, IB=0)  
C
Emitter-Base Breakdown Voltage  
---  
Vdc  
(I =100uAdc, IC=0)  
E
Collector Cutoff Current  
0.1  
0.2  
0.1  
uAdc  
uAdc  
uAdc  
(VCB=40Vdc, I =0)  
E
ICEO  
Collector Cutoff Current  
(VCE=20Vdc, I =0)  
B
IEBO  
Emitter Cutoff Current  
(VEB=5.0Vdc, I =0)  
C
D
ON CHARACTERISTICS  
hFE(1)  
DC Current Gain  
64  
40  
---  
---  
---  
300  
---  
---  
---  
(I =50mAdc, VCE=1.0Vdc)  
C
hFE(2)  
DC Current Gain  
(I =500mAdc, VCE=1.0Vdc)  
C
VCE(sat)  
VBE(sat)  
VEB  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
0.6  
1.2  
1.4  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
(I =500mAdc, IB=50mAdc)  
C
G
Base-Emitter Saturation Voltage  
(I =500mAdc, IB=50mAdc)  
C
DIMENSIONS  
Base- Emitter Voltage  
(I =100mAdc)  
E
INCHES  
MIN  
.170  
.170  
.550  
.010  
.130  
.010  
MM  
MIN  
DIM  
A
B
C
D
MAX  
MAX  
4.83  
4.83  
14.97  
0.56  
3.96  
2.64  
NOTE  
.190  
.190  
.590  
.020  
.160  
.104  
4.33  
4.30  
13.97  
0.36  
3.30  
2.44  
SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS  
fT  
Transistor Frequency  
(I =20mAdc, VCE=6.0Vdc, f=30MHz)  
C
150  
---  
MHz  
E
G
CLASSIFICATION OF HFE (1)  
Rank  
G
H
I
Range  
120 -166  
144 -220  
190 -300  
www.mccsemi.com  
Revision: 3  
2004/07/26  
1

中文翻译

下载PDF

与S9012相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
S9012-A MCC

获取价格

 		Transistor
S9012-AP-TP-HF MCC

获取价格

 		暂无描述
S9012-BP-TP-HF MCC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor,
S9012D CJ

获取价格

 		Transistor
S9012D MCC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,
S9012D-BP MCC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,
S9012D-G WEITRON

获取价格

 		Transistor
S9012E WEITRON

获取价格

 		Transistor
S9012E CJ

获取价格

 		Transistor
S9012E MCC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,

与S9012相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证