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S9011

更新时间： 2024-11-06 08:55:43

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江苏长电/长晶 - CJ		晶体晶体管
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2页	123K
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TRANSISTOR（ NPN ）

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S9011 数据手册

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors

S9011

TRANSISTOR（ NPN ）

TO— 92

FEATURE

Power dissipation

1.EMITTER

P_CM: 0.31 W（Tamb=25℃）

2. COLLECTOR

3. BASE

Collector current

I_CM:

0.03

Collector-base voltage

1 2 3

V_(BR)CBO: 30 V

Operating and storage junction temperature range

Tj, T_stg:

-55℃ to +150℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS（Tamb=25℃

unless otherwise specified）

Parameter

Symbol

V(BR)_CBO

V(BR)_CEO

V(BR)_EBO

I_CBO

Test

conditions

MIN

TYP

MAX

UNIT

Ic= 100μA ， I_E=0

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

I_C= 0.1 mA , I_B=0

I_E= 100μA， I_C=0

V_CB=16V , I_E=0

V_EB= 3.5V, I_C=0

μA

0.1

270

0.3

μA

Collector cut-off current

I_CBO

Emitter cut-off current

I_EBO

DC current gain

h_FE(1)

V_CE=5V, I_C=1mA

I_C= 10 mA, I_B= 1mA

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter voltage

V_CE(sat)

V_BE(sat)

V_CE=5V,I_C=1mA,

f=30MHz

Transition frequency

f _T

150

MHz

CLASSIFICATION OF h_FE(1)

Rank

Range

28-45

39-60

54-80

72-108

97-146

132-198

180-270

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