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S9011

更新时间： 2024-11-07 14:53:35

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鲁光 - LGE		双极型晶体管
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双极型晶体管

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S9011 技术参数

极性：	NPN	Collector-emitter breakdown voltage：	30
Collector Current - Continuous：	0.03	DC current gain - Min：	28
DC current gain - Max：	198	Transition frequency：	150
Package：	SOT-23	Storage Temperature Range：	-55-150
class：	Transistors

S9011 数据手册

S9011

NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor

SOT-23

Min

FEATURES

Dim

Max

3.10

1.50

Collector Current.(I_C= 30mA）

2.70

1.10

Power dissipation.(P_C=200mW)

1.0 Typical

0.4 Typical

APPLICATIONS

0.35

0.48

2.00

0.1

1.80

0.02

AM converter, AM/FM if amplifier general purpose

transistor

0.1 Typical

2.20

2.60

All Dimensions in mm

ORDERING INFORMATION

Type No.

S9011

Marking

Package Code

SOT-23

MAXIMUM RATING @ Ta=25℃ unless otherwise specified

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Parameter

Value

Units

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current -Continuous

Collector Dissipation

℃

P_C

200

Junction and Storage Temperature

T_j,T_stg

-55 to +150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ Ta=25℃ unless otherwise specified

Parameter

Symbol

Test conditions

MIN

MAX UNIT

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

V_(BR)CBO

I_C=100μA,I_E=0

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_C=0.1mA,I_B=0

I_E=100μA,I_C=0

I_CBO

I_EBO

h_FE

V_CB=50V,I_E=0

V_EB=5V,I_C=0

0.1

198

0.3

μA

Emitter cut-off current

DC current gain

V_CE=5V,I_C=1mA

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter voltage

I_C=10mA, I_B= 1mA

V_CE(sat)

V_BE

f_T

V_CE=5V,I_C=1mA

V_CE=5V, I_C= 1mA

0.65 0.75

150

Transition frequency

MHz

CLASSIFICATION OF h_FE(1)

Rank

Range

28-45

39-60

54-80

72-108

97-146

132-198

http://www.lgesemi.com

mail:lge@lgesemi.com

Revision:20170701-P1

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