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S72WS256ND0KFWD33

更新时间： 2024-02-07 04:36:06

品牌	Logo	应用领域
飞索 - SPANSION		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
28页	1252K
描述
Memory Circuit, 16MX16, CMOS, PBGA160, 15 X 15 MM, 1.25 MM HEIGHT, LEAD FREE, FBGA-160

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S72WS256ND0KFWD33 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	LFBGA,
针数：	160	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8542.32.00.71	风险等级：	5.82
其他特性：	MOBILE SDRAM IS ORGANIZED AS 2M X 16BIT X 4 BANKS; SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE	JESD-30 代码：	S-PBGA-B160
JESD-609代码：	e1	长度：	15 mm
内存密度：	268435456 bit	内存集成电路类型：	MEMORY CIRCUIT
内存宽度：	16	功能数量：	1
端子数量：	160	字数：	16777216 words
字数代码：	16000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-25 °C
组织：	16MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LFBGA	封装形状：	SQUARE
封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.25 mm
最大供电电压 (Vsup)：	1.95 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子面层：	TIN SILVER COPPER	端子形式：	BALL
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	宽度：	15 mm

S72WS-N Based MCP/PoP Products

1.8 Volt-only x16 Flash Memory and SDRAM on Split Bus

256/512 Mb Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memory

512 Mb NAND Flash

1024 Mb NAND Interface ORNAND Flash Memory on Bus 1

512/256/128 Mb (8M/4M/2M x 16-bit x 4 Banks) Mobile SDRAM on

Bus 2

S72WS-N Based MCP/PoP Products Cover Sheet

Data Sheet (Advance Information)

Notice to Readers: This document states the current technical specifications regarding the Spansion

product(s) described herein. Each product described herein may be designated as Advance Information,

Preliminary, or Full Production. See Notice On Data Sheet Designations for definitions.

Publication Number S72WS-N_00

Revision A

Amendment 9

Issue Date May 8, 2007

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