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S72WS256NE0BFWBB2

更新时间： 2024-02-19 19:39:04
品牌 Logo 应用领域
飞索 - SPANSION 动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
213页 5754K
描述
Memory Circuit, 16MX16, CMOS, PBGA137, 9 X 12 MM, 1.20 MM HEIGHT, FBGA-137

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S72WS256NE0BFWBB2 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：BGA包装说明：TFBGA,
针数：137Reach Compliance Code：compliant
HTS代码：8542.32.00.71风险等级：5.84
其他特性：MOBILE SDRAM IS ORGANIZED AS 4M X 16BIT X 4 BANKS; SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLEJESD-30 代码：R-PBGA-B137
JESD-609代码：e1长度：12 mm
内存密度：268435456 bit内存集成电路类型：MEMORY CIRCUIT
内存宽度：16湿度敏感等级：3
功能数量：1端子数量：137
字数：16777216 words字数代码：16000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-25 °C组织：16MX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TFBGA
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm最大供电电压 (Vsup)：1.95 V
最小供电电压 (Vsup)：1.7 V标称供电电压 (Vsup)：1.8 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：OTHER端子面层：TIN SILVER COPPER
端子形式：BALL端子节距：0.8 mm
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：40
宽度：9 mm

S72WS256NE0BFWBB2 数据手册

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S72WS256N based MCPs  
Stacked Multi-Chip Product (MCP)  
256 Megabit (16M x 16-bit) CMOS 1.8 Volt-only,  
Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memory  
with 256/128 Megabit (4M/2M x 16-bit x 4 Banks) Mobile  
SDRAM on Split Bus  
ADVANCE  
Distinctive Characteristics  
„
„
„
Flash burst frequency: 54 MHz  
Mobile SDRAM burst frequency: 104 MHz  
Package:  
MCP Features  
„
Power supply voltage of 1.7 to 1.95V  
— 9.0 x 12.0 mm  
Operating Temperature  
High Performance  
„
„
Flash access time: 70ns  
— –25°C to +85°C (wireless)  
General Description  
The S72WS series is a product line of stacked Multi-Chip Product (MCP) packages  
and consists of:  
„ One or two (in this case, one die is used as code and the other as data) flash  
memory dies  
„ One Mobile SDRAM die  
„ Separate bus for Flash and Mobile SDRAM: 137-ball pinout  
The products covered by this document are listed in the table below. For details  
about their specifications, please refer to the individual constituent datasheets for  
further details:  
Flash Memory Density  
256Mb  
512Mb  
Mobile  
SDRAM  
Density  
128Mb  
256Mb  
S72WS256ND0 S72WS256NDE  
S72WS256NE0 S72WS256NEE  
Publication Number S72WS256N_00 Revision A Amendment 0 Issue Date August 26, 2004  
1234567...213

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
S72WS256NEE SPANSION

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 		Memory Circuit, 16MX16, CMOS, PBGA137, 9 X 12 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE COMPLIANT, FBG
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