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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.75 | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (ID)： | 2 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.194 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 6 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 参考标准： | AEC-Q101 | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| RTQ020N03TR | ROHM |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 30V, 0.194ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| RTQ020N05 | ROHM |
获取价格 |
2.5V Drive Nch MOSFET |
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| RTQ020N05FRATR | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 45V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
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| RTQ020N05HZG | ROHM |
获取价格 |
RTQ020N05HZG是非常适用于开关应用的MOSFET。是符合AEC-Q101标准的车 |
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| RTQ020N05HZGTR | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, |
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| RTQ025P02 | ROHM |
获取价格 |
DC-DC Converter (−20V, −2.5A) |
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| RTQ025P02HZG | ROHM |
获取价格 |
RTQ025P02HZG是非常适用于开关应用的MOSFET。是符合AEC-Q101标准的车 |
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| RTQ025P02TR | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
|
| RTQ030P02 | ROHM |
获取价格 |
DC-DC Converter (−20V, −3.0A) |
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| RTQ030P02TR | ROHM |
获取价格 |
DC-DC Converter (−20V, −3.0A) |
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