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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 |
| 针数： | 6 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.81 |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 20 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 3 A | 最大漏极电流 (ID)： | 3 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.09 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 | JESD-609代码： | e1 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 6 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1.25 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| NTGS5120PT1G | ONSEMI |
功能相似  |
Power MOSFET −60 V, −2.9 A, Single P−Channel, TSOP−6 |
|
| NTUD3169CZT5G | ONSEMI |
功能相似 |
Small Signal MOSFET 20 V, 220 mA / −200 mA, Complementary, 1.0 x 1.0 mm SOT−96 |
|
| NTUD3170NZT5G | ONSEMI |
功能相似 |
Small Signal MOSFET 20 V, 220 mA, Dual N−Channel, 1.0 mm x 1.0 mm SOT−963 Pack |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| RTQ035N03 | ROHM |
获取价格 |
2.5V Drive Nch MOS FET |
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| RTQ035N03HZG | ROHM |
获取价格 |
RTQ035N03HZG内置G-S保护二极管的车载级MOSFET。 |
|
| RTQ035N03HZGTR | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, |
|
| RTQ035N03TR | ROHM |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 30V, 0.077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| RTQ035P02 | ROHM |
获取价格 |
DC-DC Converter (−20V, −3.5A) |
|
| RTQ035P02FHA | ROHM |
获取价格 |
Power MOSFETs are made as low ON-resistance devices by the micro-processing technologies u |
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| RTQ035P02HZG | ROHM |
获取价格 |
RTQ035P02HZG是非常适用于开关应用的MOSFET。是符合AEC-Q101标准的车 |
|
| RTQ035P02TR | ROHM |
获取价格 |
DC-DC Converter (â20V, â3.5A) |
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| RTQ03BR100FTG | FH |
获取价格 |
金属膜厚膜片式固定电阻器 |
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| RTQ03BR120FTG | FH |
获取价格 |
金属膜厚膜片式固定电阻器 |
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