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RTQ035P02FHA

更新时间： 2024-11-08 15:19:03

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罗姆 - ROHM		/
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14页	1481K
描述
Power MOSFETs are made as low ON-resistance devices by the micro-processing technologies useful for wide range of applications. Broad lineup covering compact types, high-power types and complex types to meet various needs in the market.

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RTQ035P02FHA 数据手册

RTQ035P02FHA

Datasheet

ꢀꢀPch -20V -3.5A Small Signal MOSFET

ꢀꢀ

llOutline

ꢀ

SOT-457T

V_DSS

-20V

65mΩ

±3.5A

1.25W

SC-95

R_DS(on)(Max.)

TSMT6

I_D

ꢀ

P_D

ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ

llInner circuit

llFeatures

1) Low on - resistance

2) Built-in G-S protection diode

3) Small surface mount package(TSMT6)

4) Pb-free lead plating ; RoHS compliant

5) AEC-Q101 Qualified

llPackaging specifications

Embossed

Tape

Packing

Reel size (mm)

180

llApplication

Tape width (mm)

Type

Switching

Basic ordering unit (pcs)

Taping code

3000

Marking

llAbsolute maximum ratings (T = 25°C ,unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V_DSS

I_D

Value

-20

Unit

Drain - Source voltage

Continuous drain current

Pulsed drain current

±3.5

I_DP

±14

V_GSS

Gate - Source voltage

±12

P_D

1.25

℃

Power dissipation

P_D

0.95

T_j

Junction temperature

150

T_stg

Operating junction and storage temperature range

-55 to +150

ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ

www.rohm.com

ꢀ ꢀ

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20180801 - Rev.001

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