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RTQ020N03TR

更新时间： 2024-09-17 20:06:19

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	48K
描述
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 30V, 0.194ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TSMT6, 6 PIN

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RTQ020N03TR 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：	6	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	16 weeks
风险等级：	1.7	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2 A
最大漏极电流 (ID)：	2 A	最大漏源导通电阻：	0.194 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G6
JESD-609代码：	e1	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	6
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	1.25 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	8 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

RTQ020N03TR 数据手册

RTQ020N03

Transistors

2.5V Drive Nch MOS FET

RTQ020N03

zStructure

zExternal dimensions (Unit : mm)

Silicon N-channel MOS FET

TSMT6

1.0MAX

2.9

1.9

0.95 0.95

0.85

0.7

zFeatures

(6)

(5)

(4)

1) Low On-resistance.

2) Space saving, small surface mount package (TSMT6).

3) Low voltage drive (2.5V drive).

0~0.1

(1)

(2)

(3)

1pin mark

0.16

0.4

Each lead has same dimensions

Abbreviated symbol : QS

zApplications

Switching

zPackaging specifications

zInner circuit

(6)

(5)

(4)

Package

Taping

Type

Code

Basic ordering unit (pieces)

3000

∗2

RTQ020N03

∗1

(1) Drain

(2) Drain

(3) Gate

(4) Source

(5) Drain

(6) Drain

(1)

(2)

(3)

∗1 ESD PROTECTION DIODE

∗2 BODY DIODE

zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)

Parameter

Drain-source voltage

Gate-source voltage

Symbol

V_DSS

V_GSS

I_D

Limits

Unit

Continuous

2.0

Drain current

Pulsed

∗1

I_DP

I_S

8.0

Source current

(Body diode)

Continuous

1.0

∗1

∗2

Pulsed

I_SP

8.0

Total power dissipation

Channel temperature

P_D

1.25

150

°C

Tch

Tstg

Range of storage temperature

∗1 Pw≤10µs, Duty cycle≤1%

∗2 Mounted on a ceramic board

−55 to +150

zThermal resistance

Parameter

Symbol

Limits

100

Unit

∗

Channel to ambient

∗ Mounted on a ceramic board

Rth(ch-a)

°C/W

1/2

12 3

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RTQ020N03TR 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
SI3456DDV-T1-GE3	VISHAY	功能相似	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
FDC855N	FAIRCHILD	功能相似	Single N-Channel, Logic Level, PowerTrench㈢ M

与RTQ020N03TR相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
RTQ020N05	ROHM	获取价格	2.5V Drive Nch MOSFET
RTQ020N05FRATR	ROHM	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 45V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
RTQ020N05HZG	ROHM	获取价格	RTQ020N05HZG是非常适用于开关应用的MOSFET。是符合AEC-Q101标准的车
RTQ020N05HZGTR	ROHM	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor,
RTQ025P02	ROHM	获取价格	DC-DC Converter (−20V, −2.5A)
RTQ025P02HZG	ROHM	获取价格	RTQ025P02HZG是非常适用于开关应用的MOSFET。是符合AEC-Q101标准的车
RTQ025P02TR	ROHM	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
RTQ030P02	ROHM	获取价格	DC-DC Converter (−20V, −3.0A)
RTQ030P02TR	ROHM	获取价格	DC-DC Converter (−20V, −3.0A)
RTQ035N03	ROHM	获取价格	2.5V Drive Nch MOS FET

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