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RN4990

更新时间： 2024-09-14 03:36:23
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA PC
页数 文件大小 规格书
6页 167K
描述
Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)

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RN4990 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：US6, 2-2J1A, 6 PIN
针数：6Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.48其他特性：BUILT IN BIAS RESISTOR
最大集电极电流 (IC)：0.1 A基于收集器的最大容量：6 pF
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：120JESD-30 代码：R-PDSO-G6
元件数量：2端子数量：6
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN AND PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.2 W认证状态：Not Qualified
子类别：BIP General Purpose Small Signal表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：250 MHz
VCEsat-Max：0.3 VBase Number Matches：1

RN4990 数据手册

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RN4990  
TOSHIBA Transistor  
Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)  
RN4990  
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit  
Unit: mm  
And Driver Circuit Applications  
l Includeing two devices in US6 (ultra super mini type with 6 leads)  
l With built-in bias resistors  
l Simplify circuit design  
l Reduce a quantity of parts and manufacturing process  
Equivalent Circuit and Bias Resister Values  
Q1 Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
JEDEC  
―
―
Characteristic  
Collector-base voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
EIAJ  
TOSHIBA  
Weight: 6.8mg  
2-2J1A  
V
CBO  
V
CEO  
V
EBO  
50  
50  
5
V
V
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
V
I
100  
mA  
C
Q2 Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristic  
Collector-base voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
CBO  
V
CEO  
V
EBO  
−50  
−50  
−5  
V
V
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
V
I
−100  
mA  
C
1
2001-06-07  
123456

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RN4990 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
PUMD6,115 NXP

功能相似

 PEMD6; PUMD6 - NPN/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 kOhm, R2 = open TSSOP 6-Pin
MUN5316DW1T1G ONSEMI

功能相似

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RN4990(TE85R) TOSHIBA

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RN4990AFS TOSHIBA

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