5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.44 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 集电极-发射极最大电压： | 50 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR | 最小直流电流增益 (hFE)： | 50 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-F3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.15 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | BIP General Purpose Small Signal |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| RN1102MFV(TL3MAA) | TOSHIBA |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
|
| RN1102MFV(TL3SAN) | TOSHIBA |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
|
| RN1102MFV,L3F(T | TOSHIBA |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor |
|
| RN1102MFVTPL3 | TOSHIBA |
获取价格 |
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications |
|
| RN1103 | TOSHIBA |
获取价格 |
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications |
|
| RN1103(TE85L,F) | TOSHIBA |
获取价格 |
PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-416 |
|
| RN1103ACT | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 80 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, CST3, 2-1J1A, 3 PIN, BIP General |
|
| RN1103ACT(TPL3) | TOSHIBA |
获取价格 |
PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,80MA I(C),SOT-883 |
|
| RN1103CT | TOSHIBA |
获取价格 |
Switching Applications Inverter Circuit Applications Interface Circuit Applications Driver |
|
| RN1103F | TOSHIBA |
获取价格 |
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
