RN1103F

更新时间： 2024-09-26 04:07:47

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		开关驱动
页数	文件大小	规格书
8页	573K
描述
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

RN1103F 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.75
其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	70	JESD-30 代码：	R-PDSO-F3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.1 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	250 MHz	Base Number Matches：	1

RN1103F 数据手册

RN1101F∼RN1106F

TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)

RN1101F,RN1102F,RN1103F

RN1104F,RN1105F,RN1106F

Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit

And Driver Circuit Applications

Unit in mm

z With built-in bias resistors

z Simplify circuit design

z Reduce a quantity of parts and manufacturing process

z Complementary to RN2101F~RN2106F

Equivalent Circuit And Bias Resister Values

Type No.

R1 (kΩ)

R2 (kΩ)

RN1101F

RN1102F

RN1103F

RN1104F

RN1105F

RN1106F

4.7

2.2

4.7

JEDEC

―

EIAJ

2-2H1A

TOSHIBA

Weight: 2.3 mg

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristic

Collector-base voltage

Symbol

Rating

Unit

CBO

CEO

RN1101F~1106F

Collector-emitter voltage

RN1101F~1104F

RN1105F, 1106F

Emitter-base voltage

EBO

Collector current

100

150

−55~150

°C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature range

RN1101F~1106F

stg

°C

Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the

significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even

if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum

ratings.

Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook

(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test

report and estimated failure rate, etc).

2007-11-01

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

与RN1103F相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
RN1103FT(TE85L)	TOSHIBA	获取价格	RN1103FT(TE85L)
RN1103FV	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-1L1A, VESM, 3 PIN, BIP Genera
RN1103MFV	TOSHIBA	获取价格	Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications
RN1103MFV(TL3KYOCE	TOSHIBA	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
RN1103MFV(TL3PAV)	TOSHIBA	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
RN1104	TOSHIBA	获取价格	Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications
RN1104(TE85L)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-2H1A, 3 PIN, BIP General Purp
RN1104(TE85R)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-2H1A, 3 PIN, BIP General Purp
RN1104CT	TOSHIBA	获取价格	Switching Applications Inverter Circuit Applications Interface Circuit Applications Driver
RN1104CT(TPL3)	TOSHIBA	获取价格	PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,20V V(BR)CEO,50MA I(C),SMT

与RN1103F相关文章

塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
2024-09-29

9
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
2024-09-29

8
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
2024-09-27

12
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
2024-09-27

19

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

RN1103F

RN1103F 技术参数

RN1103F 数据手册

与RN1103F相关器件

与RN1103F相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

RN1103F

RN1103F 技术参数

RN1103F 数据手册

与RN1103F相关器件

与RN1103F相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？