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RN1105ACT

更新时间： 2024-09-28 20:47:35
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 265K
描述
TRANSISTOR 80 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, CST3, 2-1J1A, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal

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RN1105ACT 技术参数

生命周期：Lifetime Buy包装说明：CHIP CARRIER, R-XBCC-N3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.72
其他特性：BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 21.36外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：0.08 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：80
JESD-30 代码：R-XBCC-N3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：CHIP CARRIER极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：NO LEAD端子位置：BOTTOM
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

RN1105ACT 数据手册

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RN1101ACT~RN1106ACT  
東芝トランジスタ シリコンNPNエピタキシャル形 (PCT方式) (バイアス抵抗内蔵)  
RN1101ACT,RN1102ACT,RN1103ACT  
RN1104ACT,RN1105ACT,RN1106ACT  
○スイッチング用  
単位: mm  
○インバータ回路用  
○インタフェース回路用  
○ドライバ回路用  
0.6±0.05  
0.5±0.03  
３
• 超小型パッケージ (CST3) のため超高密度実装に適しています。  
１
２
• バイアス抵抗がトランジスタに内蔵されているため、部品点数の削減  
による機器の小型化, 組み立ての省力化が可能です。  
0.05±0.03  
0.35±0.02  
•
RN2101ACT ~ RN2106ACT とコンプリメンタリになります。  
0.15±0.03  
等価回路とバイアス抵抗値  
C
Type No.  
R1 (kΩ)  
R2 (kΩ)  
1.ベース  
2.エミッタ  
3.コレクタ  
CST3  
RN1101ACT  
RN1102ACT  
RN1103ACT  
RN1104ACT  
RN1105ACT  
RN1106ACT  
4.7  
10  
4.7  
10  
22  
47  
47  
47  
R1  
B
JEDEC  
―
―
22  
JEITA  
47  
E
2.2  
4.7  
東 芝  
2-1J1A  
質量: 0.75 mg (標準)  
絶対最大定格 (Ta = 25°C)  
項
目
記 号  
定
格
単位  
コレクタ･ベース間電圧  
V
V
50  
50  
10  
5
V
V
CBO  
CEO  
RN1101ACT~1106ACT  
コレクタ･エミッタ間電圧  
エミッタ･ベース間電圧  
RN1101ACT~1104ACT  
RN1105ACT, 1106ACT  
V
V
EBO  
コ レ ク タ 電 流  
コ レ ク タ 損 失  
I
80  
mA  
mW  
°C  
C
P
100 *  
150  
C
RN1101ACT~1106ACT  
接
保
合
存
温
温
度
度
T
j
T
stg  
−55 ~ 150  
°C  
: FR4基板実装時(10 mm × 10 mm × 1 mmt)  
注: 本製品の使用条件 (使用温度/電流/電圧等)が絶対最大定格以内での使用においても、高負荷 (高温および大電  
流高電圧印加、多大な温度変化等) で連続して使用される場合は、信頼性が著しく低下するおそれがあります。  
弊社半導体信頼性ハンドブック (取り扱い上のご注意とお願いおよびディレーティングの考え方と方法) およ  
び個別信頼性情報 (信頼性試験レポート、推定故障率等) をご確認の上、適切な信頼性設計をお願いします。  
1
2009-05-08  
12345678

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与RN1105ACT相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
RN1105CT TOSHIBA

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