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RN1104FT

更新时间： 2024-02-21 07:49:46
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 316K
描述
TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TESM, 2-1B1A, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal

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RN1104FT 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：2-1B1A, TESM, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.68其他特性：BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：80
JESD-30 代码：R-PDSO-F3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：250 MHzBase Number Matches：1

RN1104FT 数据手册

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RN1101FT~RN1106FT  
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor)  
RN1101FT, RN1102FT, RN1103FT  
RN1104FT, RN1105FT, RN1106FT  
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and  
Driver Circuit Applications  
Unit: mm  
•
•
High-density mount is possible because of devices housed in very thin  
TESM packages.  
Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count.  
Reducing the parts count enable the manufacture of ever more compact  
equipment and save assembly cost.  
•
•
Wide range of resistor values are available to use in various circuit  
designs.  
Complementary to RN2101FT~RN2106FT  
Equivalent Circuit and Bias Resistor Values  
C
Type No.  
R1 (kΩ)  
R2 (kΩ)  
RN1101FT  
RN1102FT  
RN1103FT  
RN1104FT  
RN1105FT  
RN1106FT  
4.7  
10  
4.7  
10  
22  
47  
47  
47  
R1  
B
JEDEC  
JEITA  
―
―
22  
47  
E
TOSHIBA  
2-1B1A  
2.2  
4.7  
Weight:0.0022 g (typ.)  
Maximum Ratings  
(Ta = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Rating  
Unit  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
V
V
50  
50  
V
V
CBO  
CEO  
RN1101FT~1106FT  
RN1101FT~1104FT  
10  
Emitter-base voltage  
V
V
EBO  
RN1105FT, RN1106FT  
5
Collector current  
I
100  
100  
150  
mA  
mW  
°C  
C
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature range  
P
C
RN1101FT~1106FT  
T
j
T
stg  
−55~150  
°C  
1
2004-03-01  
12345678

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与RN1104FT相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
RN1104FT(TE85L) TOSHIBA

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 		RN1104FT(TE85L)
RN1104FV TOSHIBA

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 		TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-1L1A, VESM, 3 PIN, BIP Genera
RN1104MFV TOSHIBA

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 		Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications
RN1104MFV(TL3,T) TOSHIBA

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 		Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin VESM T/R
RN1104MFV(TL3PAV) TOSHIBA

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 		TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-2H1A, 3 PIN, BIP General Purp
RN1105(TE85L,F) TOSHIBA

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 		PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-416

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