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RN1104FV

更新时间： 2024-02-07 14:55:33

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	524K
描述
TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-1L1A, VESM, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal

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RN1104FV 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.69
其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	30	JESD-30 代码：	R-PDSO-F3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.15 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	250 MHz
Base Number Matches：	1

RN1104FV 数据手册

RN1101FV∼RN1106FV

TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)

RN1101FV, RN1102FV, RN1103FV

RN1104FV, RN1105FV, RN1106FV

Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and

Driver Circuit Applications

Unit in mm

ꢀ

Ultra-small package, suited to very high density mounting

1.2 ± 0.05

ꢀ

Incorporating bias resistance into the transistor reduces the number of

parts, so enabling the manufacture of ever more compact equipment and

lowering assembly cost.

0.80 ± 0.05

ꢀ

A wide range of resistor values is available for use in various circuits.

Complementary to RN2101FV~RN2106FV

Equivalent Circuit and Bias Resister Values

Type No.

R1 (kΩ)

R2 (kΩ)

1.BASE

2.EMITTER

3.COLLECTOR

RN1101FV

RN1102FV

RN1103FV

RN1104FV

RN1105FV

RN1106FV

4.7

VESM

JEDEC

JEITA

―

2-1L1A

TOSHIBA

2.2

4.7

Weight: 0.0015 g(typ.)

Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristic

Symbol

Rating

Unit

Collector-base voltage

CBO

CEO

RN1101FV~1106FV

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

RN1101FV~1104FV

RN1105FV, 1106FV

EBO

Collector current

100

150

−55~150

°C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature range

P (Note)

RN1101FV~1106FV

stg

°C

Note : Mounted on FR4 board (25.4 mm × 25.4 mm × 1.6mmt)

0.5mm

0.45mm

0.4mm

2004-06-07

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
RN1104MFV	TOSHIBA	获取价格	Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications
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RN1104MFV(TL3PAV)	TOSHIBA	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
RN1104MFV(TL3SAN)	TOSHIBA	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
RN1104MFV(TPL3)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR PRE-BIASED DIGITAL TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-416VAR, BIP General P
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RN1105ACT	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 80 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, CST3, 2-1J1A, 3 PIN, BIP General

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