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RGT80TS65D

更新时间: 2023-09-03 20:35:36
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罗姆 - ROHM 双极性晶体管栅极
页数 文件大小 规格书
13页 4695K
描述
罗姆的IGBT(绝缘栅极型双极晶体管)产品为高电压、大电流应用的高效化和节能化作贡献。

RGT80TS65D 数据手册

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RGT80TS65DGC13  
Datasheet  
650V 40A Field Stop Trench IGBT  
lOutline  
TO-247GE  
VCES  
IC(100°C)  
VCE(sat) (Typ.)  
PD  
650V  
40A  
1.65V  
234W  
(1)(2)(3)  
lFeatures  
lInner Circuit  
1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage  
2) Low Switching Loss  
(2)  
(3)  
(1) Gate  
(2) Collector  
(3) Emitter  
*1  
3) Short Circuit Withstand Time 5μs  
(1)  
4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD  
(RFN - Series)  
*1 Built in FRD  
5) Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant  
lPackaging Specifications  
Packaging  
Tube  
lApplications  
General Inverter  
Reel Size (mm)  
-
-
UPS  
Tape Width (mm)  
Type  
Power Conditioner  
Welder  
Basic Ordering Unit (pcs)  
600  
C13  
Packing code  
RGT80TS65D  
Marking  
lAbsolute Maximum Ratings (at TC = 25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Collector - Emitter Voltage  
Symbol  
VCES  
VGES  
IC  
Value  
Unit  
V
650  
Gate - Emitter Voltage  
V
30  
TC = 25°C  
70  
A
Collector Current  
TC = 100°C  
IC  
40  
120  
A
*1  
Pulsed Collector Current  
Diode Forward Current  
Diode Pulsed Forward Current  
Power Dissipation  
A
ICP  
TC = 25°C  
IF  
IF  
40  
A
TC = 100°C  
20  
A
*1  
120  
A
IFP  
TC = 25°C  
PD  
PD  
Tj  
234  
W
W
°C  
°C  
TC = 100°C  
117  
Operating Junction Temperature  
-40 to +175  
-55 to +175  
Tstg  
Storage Temperature  
*1 Pulse width limited by Tjmax.  
www.rohm.com  
© 2021 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
2021.02 - Rev.A  
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