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RGTH80TK65

更新时间: 2024-11-24 11:11:31
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罗姆 - ROHM 双极性晶体管栅极
页数 文件大小 规格书
10页 677K
描述
罗姆的IGBT(绝缘栅极型双极晶体管)产品为广大的高电压、大电流应用的高效化和节能化做出了贡献。

RGTH80TK65 数据手册

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RGTH80TK65  
650V 40A Field Stop Trench IGBT  
Data Sheet  
lOutline  
TO-3PFM  
VCES  
IC(100°C)  
VCE(sat) (Typ.)  
PD  
650V  
19A  
1.6V@IC=40A  
66W  
(1)(2)(3)  
lFeatures  
lInner Circuit  
1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage  
2) High Speed Switching  
(2)  
(3)  
(1) Gate  
(2) Collector  
(3) Emitter  
(1)  
3) Low Switching Loss & Soft Switching  
4) Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant  
lApplications  
lPackaging Specifications  
PFC  
Packaging  
Tube  
UPS  
Reel Size (mm)  
-
Power Conditioner  
IH  
Tape Width (mm)  
Type  
-
450  
Basic Ordering Unit (pcs)  
Packing Code  
Marking  
C11  
RGTH80TK65  
lAbsolute Maximum Ratings (at TC = 25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Collector - Emitter Voltage  
Symbol  
VCES  
VGES  
IC  
Value  
Unit  
V
650  
Gate - Emitter Voltage  
V
30  
TC = 25°C  
31  
A
Collector Current  
TC = 100°C  
IC  
19  
160  
A
*1  
Pulsed Collector Current  
Power Dissipation  
A
ICP  
TC = 25°C  
PD  
PD  
Tj  
66  
W
W
°C  
°C  
TC = 100°C  
33  
Operating Junction Temperature  
-40 to +175  
-55 to +175  
Tstg  
Storage Temperature  
*1 Pulse width limited by Tjmax.  
www.rohm.com  
© 2016 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
2016.01 - Rev.A  
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