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RGTH80TS65D

更新时间： 2024-11-24 11:15:19

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罗姆 - ROHM		栅双极性晶体管栅极
页数	文件大小	规格书
13页	926K
描述
罗姆的IGBT（绝缘栅极型双极晶体管）产品为高电压、大电流应用的高效化和节能化作贡献。

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RGTH80TS65D 数据手册

RGTH80TS65DGC13

Datasheet

650V 40A Field Stop Trench IGBT

lOutline

TO-247GE

V_CES

I_C(100°C)

V_{CE(sat) (Typ.)}

P_D

650V

40A

1.6V

234W

(1)(2)(3)

lFeatures

lInner Circuit

1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage

2) High Speed Switching

(2)

(3)

(1) Gate

(2) Collector

(3) Emitter

3) Low Switching Loss & Soft Switching

(1)

4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD

(RFN - Series)

*1 Built in FRD

5) Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant

lPackaging Specifications

Packaging

Tube

lApplications

PFC

Reel Size (mm)

UPS

Tape Width (mm)

Type

Power Conditioner

Basic Ordering Unit (pcs)

600

C13

Packing code

RGTH80TS65D

Marking

lAbsolute Maximum Ratings (at T_C= 25°C unless otherwise specified)

Parameter

Collector - Emitter Voltage

Symbol

V_CES

V_GES

I_C

Value

Unit

650

Gate - Emitter Voltage

30

T_C= 25°C

Collector Current

T_C= 100°C

I_C

160

Pulsed Collector Current

Diode Forward Current

Diode Pulsed Forward Current

Power Dissipation

I_CP

T_C= 25°C

I_F

T_C= 100°C

160

I_FP

T_C= 25°C

P_D

T_j

234

°C

T_C= 100°C

117

Operating Junction Temperature

-40 to +175

-55 to +175

T_stg

Storage Temperature

*1 Pulse width limited by T_jmax.

www.rohm.com

2020.09 - Rev.D

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