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RGTV80TK65D

更新时间： 2024-11-24 11:14:31

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罗姆 - ROHM		/
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12页	1257K
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RGTV80TK65D 数据手册

RGTV80TK65D

650V 40A Field Stop Trench IGBT

Datasheet

lOutline

TO-3PFM

V_CES

I_{C (100°C)}

V_{CE(sat) (Typ.)}

P_D

650V

23A

1.5V

85W

(1)(2)(3)

lFeatures

lInner Circuit

1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage

2) High Speed Switching & Low Switching Loss

3) Short Circuit Withstand Time 2μs

(2)

(3)

(1) Gate

(2) Collector

(3) Emitter

(1)

4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD

5) Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant

*1 Built in FRD

lApplication

lPackaging Specifications

Solar Inverter

Packaging

Tube

UPS

Welding

Reel Size (mm)

Tape Width (mm)

Type

450

Basic Ordering Unit (pcs)

PFC

Packing Code

Marking

C11

RGTV80TK65D

lAbsolute Maximum Ratings (at T_C= 25°C unless otherwise specified)

Parameter

Collector - Emitter Voltage

Symbol

V_CES

V_GES

I_C

Value

Unit

650

Gate - Emitter Voltage

±30

T_C= 25°C

Collector Current

T_C= 100°C

I_C

Pulsed Collector Current

Diode Forward Current

Diode Pulsed Forward Current

Power Dissipation

160

I_CP

T_C= 25°C

I_F

T_C= 100°C

160

I_FP

T_C= 25°C

P_D

T_j

°C

T_C= 100°C

Operating Junction Temperature

Storage Temperature

-40 to +175

-55 to +175

T_stg

*1 Pulse width limited by T_jmax.

www.rohm.com

2020.11 - Rev.A

1/11

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