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RGTH50TK65D

更新时间： 2023-09-03 20:39:21

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罗姆 - ROHM		栅双极性晶体管栅极
页数	文件大小	规格书
12页	715K
描述
罗姆的IGBT（绝缘栅极型双极晶体管）产品为广大的高电压、大电流应用的高效化和节能化做出了贡献。

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RGTH50TK65D 数据手册

RGTH50TK65D

650V 25A Field Stop Trench IGBT

Data Sheet

lOutline

TO-3PFM

V_CES

I_C(100°C)

V_{CE(sat) (Typ.)}

P_D

650V

16A

1.6V@I_C=25A

59W

(1)(2)(3)

lFeatures

lInner Circuit

1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage

2) High Speed Switching

(2)

(3)

(1) Gate

(2) Collector

(3) Emitter

3) Low Switching Loss & Soft Switching

(1)

4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD

(RFN - Series)

*1 Built in FRD

5) Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant

lPackaging Specifications

Packaging

Tube

lApplications

PFC

Reel Size (mm)

UPS

Tape Width (mm)

Type

Power Conditioner

Basic Ordering Unit (pcs)

450

C11

Packing Code

RGTH50TK65D

Marking

lAbsolute Maximum Ratings (at T_C= 25°C unless otherwise specified)

Parameter

Collector - Emitter Voltage

Symbol

V_CES

V_GES

I_C

Value

Unit

650

Gate - Emitter Voltage

30

T_C= 25°C

Collector Current

T_C= 100°C

I_C

Pulsed Collector Current

Diode Forward Current

Diode Pulsed Forward Current

Power Dissipation

100

I_CP

T_C= 25°C

I_F

T_C= 100°C

100

I_FP

T_C= 25°C

P_D

T_j

°C

T_C= 100°C

Operating Junction Temperature

-40 to +175

-55 to +175

T_stg

Storage Temperature

*1 Pulse width limited by T_jmax.

www.rohm.com

2016.01 - Rev.A

1/11

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