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RGTH00TK65

更新时间： 2023-09-03 20:25:16

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罗姆 - ROHM		栅双极性晶体管栅极
页数	文件大小	规格书
10页	616K
描述
罗姆的IGBT（绝缘栅极型双极晶体管）产品为广大的高电压、大电流应用的高效化和节能化做出了贡献。

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RGTH00TK65 数据手册

RGTH00TK65

650V 50A Field Stop Trench IGBT

Data Sheet

lOutline

TO-3PFM

V_CES

I_C(100°C)

V_{CE(sat) (Typ.)}

P_D

650V

21A

1.6V@I_C=50A

72W

(1)(2)(3)

lFeatures

lInner Circuit

1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage

2) High Speed Switching

(2)

(3)

(1) Gate

(2) Collector

(3) Emitter

(1)

3) Low Switching Loss & Soft Switching

4) Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant

lApplications

lPackaging Specifications

PFC

Packaging

Tube

UPS

Reel Size (mm)

Power Conditioner

Tape Width (mm)

Type

450

Basic Ordering Unit (pcs)

Packing Code

Marking

C11

RGTH00TK65

lAbsolute Maximum Ratings (at T_C= 25°C unless otherwise specified)

Parameter

Collector - Emitter Voltage

Symbol

V_CES

V_GES

I_C

Value

Unit

650

Gate - Emitter Voltage

30

T_C= 25°C

Collector Current

T_C= 100°C

I_C

200

Pulsed Collector Current

Power Dissipation

I_CP

T_C= 25°C

P_D

T_j

°C

T_C= 100°C

Operating Junction Temperature

-40 to +175

-55 to +175

T_stg

Storage Temperature

*1 Pulse width limited by T_jmax.

www.rohm.com

2016.01 - Rev.A

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