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RGTH00TK65D

更新时间： 2024-11-20 11:14:39
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罗姆 - ROHM 栅双极性晶体管栅极
页数 文件大小 规格书
12页 720K
描述
罗姆的IGBT（绝缘栅极型双极晶体管）产品为广大的高电压、大电流应用的高效化和节能化做出了贡献。

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RGTH00TK65D  
650V 50A Field Stop Trench IGBT  
Data Sheet  
lOutline  
TO-3PFM  
VCES  
IC(100°C)  
VCE(sat) (Typ.)  
PD  
650V  
21A  
1.6V@IC=50A  
72W  
(1)(2)(3)  
lFeatures  
lInner Circuit  
1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage  
2) High Speed Switching  
(2)  
(3)  
(1) Gate  
(2) Collector  
(3) Emitter  
*1  
3) Low Switching Loss & Soft Switching  
(1)  
4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD  
(RFN - Series)  
*1 Built in FRD  
5) Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant  
lPackaging Specifications  
Packaging  
Tube  
lApplications  
PFC  
Reel Size (mm)  
-
-
UPS  
Tape Width (mm)  
Type  
Power Conditioner  
IH  
Basic Ordering Unit (pcs)  
450  
C11  
Packing Code  
RGTH00TK65D  
Marking  
lAbsolute Maximum Ratings (at TC = 25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Collector - Emitter Voltage  
Symbol  
VCES  
VGES  
IC  
Value  
Unit  
V
650  
Gate - Emitter Voltage  
V
30  
TC = 25°C  
35  
A
Collector Current  
TC = 100°C  
IC  
21  
A
*1  
Pulsed Collector Current  
Diode Forward Current  
Diode Pulsed Forward Current  
Power Dissipation  
200  
A
ICP  
TC = 25°C  
IF  
IF  
34  
A
TC = 100°C  
19  
200  
A
*1  
A
IFP  
TC = 25°C  
PD  
PD  
Tj  
72  
W
W
°C  
°C  
TC = 100°C  
36  
Operating Junction Temperature  
-40 to +175  
-55 to +175  
Tstg  
Storage Temperature  
*1 Pulse width limited by Tjmax.  
www.rohm.com  
© 2016 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
2016.01 - Rev.A  
1/11  
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