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RGTH00TS65

更新时间： 2024-11-24 11:11:51

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		栅双极性晶体管栅极
页数	文件大小	规格书
9页	3955K
描述
罗姆的IGBT（绝缘栅极型双极晶体管）产品为高电压、大电流应用的高效化和节能化作贡献。

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RGTH00TS65 数据手册

RGTH00TS65GC13

Datasheet

650V 50A Field Stop Trench IGBT

lOutline

TO-247GE

V_CES

I_C(100°C)

V_{CE(sat) (Typ.)}

P_D

650V

50A

1.6V

277W

(1)(2)(3)

lFeatures

lInner Circuit

1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage

2) High Speed Switching

(2)

(3)

(1) Gate

(2) Collector

(3) Emitter

3) Low Switching Loss & Soft Switching

4) Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant

(1)

lApplications

lPackaging Specifications

PFC

Packaging

Tube

UPS

Reel Size (mm)

Power Conditioner

Tape Width (mm)

Type

600

Basic Ordering Unit (pcs)

Packing code

Marking

C13

RGTH00TS65

lAbsolute Maximum Ratings (at T_C= 25°C unless otherwise specified)

Parameter

Collector - Emitter Voltage

Symbol

V_CES

V_GES

I_C

Value

650

Unit

Gate - Emitter Voltage

30

T_C= 25°C

Collector Current

T_C= 100°C

I_C

Pulsed Collector Current

Power Dissipation

200

I_CP

T_C= 25°C

P_D

T_j

277

°C

T_C= 100°C

138

Operating Junction Temperature

-40 to +175

-55 to +175

T_stg

Storage Temperature

*1 Pulse width limited by T_jmax.

2019.08 - Rev.A

1/9

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