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RGT8TM65D

更新时间: 2024-11-24 11:12:23
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 双极性晶体管调节器
页数 文件大小 规格书
11页 1704K
描述
RGT8TM65D是低VCE(sat)的Field Stop Trench IGBT。适合逆变器、UPS、功率调节器、焊接等用途。

RGT8TM65D 数据手册

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RGT8TM65D  
Datasheet  
650V 4A Field Stop Trench IGBT  
Outline  
TO-220NFM  
VCES  
IC (100)  
VCE(sat) (Typ.)  
PD  
650V  
3A  
1.65V@IC=4A  
16W  
(1)(2)(3)  
Features  
Inner Circuit  
1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage  
2) Low Switching Loss  
(2)  
(3)  
(1) Gate  
(2) Collector  
(3) Emitter  
*1  
3) Short Circuit Withstand Time 5μs  
(1)  
4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD  
(RFN - Series)  
*1 Built in FRD  
5) Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant  
Packaging Specifications  
Packaging  
Tube  
Applications  
General Inverter  
Reel Size (mm)  
-
-
UPS  
Tape Width (mm)  
Type  
Power Conditioner  
Welder  
Basic Ordering Unit (pcs)  
1,000  
C9  
Packing Code  
RGT8TM65D  
Marking  
Absolute Maximum Ratings (at TC = 25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Collector - Emitter Voltage  
Symbol  
VCES  
VGES  
IC  
Value  
Unit  
V
650  
Gate - Emitter Voltage  
V
30  
TC = 25°C  
5
A
Collector Current  
TC = 100°C  
IC  
3
A
*1  
Pulsed Collector Current  
Diode Forward Current  
Diode Pulsed Forward Current  
Power Dissipation  
12  
A
ICP  
TC = 25°C  
IF  
IF  
5
A
TC = 100°C  
3
A
*1  
12  
16  
A
IFP  
TC = 25°C  
PD  
PD  
Tj  
W
W
°C  
°C  
TC = 100°C  
8
Operating Junction Temperature  
Storage Temperature  
40 to +175  
55 to +175  
Tstg  
*1 Pulse width limited by Tjmax  
.
www.rohm.com  
© 2018 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
2018.01 - Rev.A  
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